补充对过压及ESD 输入保护，自我保护利用MOS场效应管完全保护拓扑结构，过热和过流保护电路。

自我保护 MOSFET 可提供进一步的过流和过温保护。    

防止过热解决办法：温度传感器和热关断电路

在 MOS场效应管 开启，处于活动状态，若超过阈值温度 175°C即触发，MOSFET关闭，电流被中断，不在散热，设备温度下降 10°C，内置迟滞允许输出自动重新打开。

白炽灯关闭有低电阻，开灯加热，电阻快速上升。

防止故障及避免与灯的低导通电阻相关高浪涌电流：采用限流电路方式过流保护

 

电流限制电路检测到，因过大负载电流，MOS场效应管漏源电压VDS上升，并通过降低内部栅极驱动和限制漏电流ID做出反应。

此功能使MOSFET 受到保护，灯的寿命得到延迟。

保护电路是独立实现的，但它们相互结合。

电流限制功能典型输出特性