英飞凌Infineon将PQFN双面冷却25-150 V产品组合添加到其OptiMOS™ 中源极下降功率MOSFET系列

不断推进未来电力电子系统的设计，以提高最先进的性能和功率密度。为了支持这一趋势，英飞凌Infineon推出了一个全新的Source Down 3.3 x 3.3 mm²PQFN产品系列，其型号为25-150 V，带有底部冷却（BSC）和双面冷却（DSC）变体。新产品系列在组件层面提供了显著增强，为DC-DC电源转换提供了有吸引力的解决方案，为服务器、电信、OR ing、电池保护、电动工具和充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。

新产品组合将英飞凌Infineon最新的MOSFET技术与前沿封装相结合，将系统性能提升到新的水平。在源极向下（SD）概念中，MOSFET管芯-源极触点朝封装的封装面翻转，然后焊接到PCB上。此外，该概念包括在芯片顶部改进的夹子设计，用于漏极接触和市场领先的芯片与封装面积比。

随着系统形状因素的不断缩小，两个关键方面至关重要：减少功率损耗和优化热管理。与同类最佳的PQFN 3.3 x 3.3 m²降压装置相比，新系列的导通电阻（R DS（on））显著提高了35%。Infineon的OptiMOS Source Down PQFN（带双面冷却）提供了一个增强的热接口，可将电源损耗从交换机转移到散热器。双面冷却变体提供了将电源开关连接到散热器的最直接方式，与相应的底侧冷却电源下降变体相比，功耗能力提高了三倍。

有两种不同的封装外形变体可为PCB布线提供最高的灵活性。传统的标准闸门变体提供了对现有排水设计的快速而简单的修改。中央门（CG）变体为并联设备提供了新的可能性，以尽可能缩短驱动器到门的连接。整个OptiMOS Source Down PQFN 3.3 x 3.3 mm²25-150 V产品系列具有高达298 A的出色连续电流能力，可实现最高的系统性能。

英飞凌Infineon的OptiMOS Source Down PQFN 3.3 x 3.3 mm²25-150 V产品系列包括两个占地面积版本，标准和中心门。与同类最佳的PQFN 3.3 x 3.3 m²降压装置相比，新系列的导通电阻（RDS（on））显著提高了35%。通过双面冷却封装，它提供了一个增强的热接口，以将功率损耗从交换机重定向到散热器，与相应的底侧冷却电源下降变体相比，功耗增加了三倍。

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