英飞凌infineon推出950V CoolMOS™ PFD7系列具有集成快体二极管，可满足高功率照明和工业SMPS应用

为满足当代市场对改进外形和节能产品的需求，英飞凌infineon开发了一款新的CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列，为950V超结（SJ）技术树立了新的基准。新的950V系列将卓越的性能与最先进的易用性相结合，并具有集成的快体二极管，确保了设备的坚固性，进而减少了材料清单（BOM）。针对超高功率密度和最高效率设计，新产品主要针对照明系统以及消费和工业SMPS应用。

新产品适用于反激式、PFC和LLC/LCC设计，包括半桥或全桥配置，使换向更加可靠可靠。通过将超快体二极管与超低反向恢复电荷（Qrr）集成，它们提供了硬换流坚固性和可靠性。这使得它成为该电压等级中最坚固的SJ MOSFET，能够在目标应用中的所有拓扑中使用。

与900 V CoolMOS C3 SJ MOSFET相比，显著降低的开关损耗（E OSS、Q OSS和Q g）提高了硬开关和软开关应用的效率，使MOSFET温度降低了4°K。新产品将轻载和满载PFC效率提高了0.2%以上，同时与LLC效率相匹配，为绿色世界做出了贡献。

英飞凌infineon新系列在各种SMD和THD封装中提供了敢达55%的导通电阻（R DS（on））器件，如450米Ω DPAK或60 mΩ 这使得设计者能够使用更小的封装，并在降低BOM和生产成本的情况下提高功率密度和板空间节约。

栅极源极阈值电压（V（GS），th）为3 V，最小V（GS），th变化为±0.5 V，使新器件易于设计和驱动，从而增加了设计自由度。由于低阈值电压和容差，避免了MOSFET线性模式操作，同时允许更低的驱动电压和更低的空闲损耗。

与CoolMOS C3相比，栅极电荷提高了60%，从而显著降低了驱动损耗，ESD坚固性通过2级人体模型HBM等级来确保，从而减少了ESD相关故障并提高了制造产量。

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