英飞凌infineon扩展CoolSiC™ M1H技术组合，配备1200 V SiC MOSFET，使用增强功能实现最高的系统效率

英飞凌infineon推出了一款新的CoolSiC™ 科技CoolSiC™ MOSFET 1200伏M1H。先进的碳化硅（SiC）芯片将在广泛扩展的产品组合中使用流行的Easy模块系列，以及使用的分立封装。XT互连技术。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值需求的太阳能系统，如逆变器。该芯片也适用于电动汽车快速充电、储能系统和其他工业应用。

CoolSiC基座技术的最新进展使栅极操作窗口显著增大，从而改善给定芯片尺寸的导通电阻。同时，更大的栅极操作窗口提供了对栅极处与驱动器和布局相关的电压峰值的高鲁棒性，即使在更高的开关频率下也没有任何限制。除了M1H芯片技术外，相关外壳也已在技术和封装变体中采用，以使设计工程师能够获得更高的功率密度和更多选项，从而提高应用性能。
 

简易模块可实现更高的功率密度

M1H将被集成到流行的Easy系列中，以进一步改进Easy 1B和2B模块。此外，还将推出一款新产品，使用新的1200 V CoolSiC MOSFET增强Easy 3B模块。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了灵活性，确保了最广泛的工业产品组合。使用M1H芯片，模块的导通电阻可以显著提高，使设备更加可靠和高效。

此外，最大临时连接温度为175°C时，过载能力增加，从而实现更高的功率密度和故障事件覆盖率。与之前的M1相比，M1H实现了对内部RG的少量采用，使得切换行为可以轻松优化。M1H芯片保持了动态特性。
 

具有超低导通电阻的分立封装

英飞凌infineon除了Easy模块系列之外，CoolSiC MOSFET 1200 V M1H组合还包括新的超低导通电阻7 mΩ, 14米Ω 20米Ω 在TO247-3和TO247-4离散包中。新器件易于设计，尤其是由于门极电压超调和欠调，新的最大门源电压降至-10 V，并且具有雪崩和短路能力规格。

英飞凌infineon的XT互连技术以前在D 2PAK-7L封装中引入，现在也在TO封装中实现。与标准互连相比，散热能力提高了30%以上。因此，这种热效益可用于提高高达15%的输出功率。或者，它可以用于增加开关频率，以进一步减少电动汽车（EV）充电、储能或光伏系统中的无源元件，从而提高功率密度并降低系统成本。在不改变系统操作条件的情况下，系统将运行。XT技术将降低SiC MOSFET结温度，从而显著提高系统寿命和功率循环能力。这是伺服驱动器等应用中的关键要求。

新添加的1200 V CoolSiC MOSFET M1H进一步增强了基于SiC的应用的优化潜力，在全球范围内快速实现清洁能源和能源效率。

英飞凌infineon CoolSiC™  M1H 1200 V SiC MOSFET将集成到流行的Easy系列中，以进一步改进Easy 1B和2B模块。此外，还将推出一种增强Easy 3B模块的新产品。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了灵活性，并确保了最广泛的工业投资组合。使用M1H芯片，可以显著提高模块的通电电阻，使设备更加可靠和高效。

英飞凌infineon CoolSiC™  MOSFET 1200 V M1H组合包括TO247-3和TO247-4离散封装，具有新的超低ON电阻7 MΩ、14 MΩ和20 MΩ。它们易于设计，特别是由于门电压过高和过低，新的最大门源电压低于-10 V。离散器件的特点是。XT互连技术带来了热效益，可用于将输出功率提高到15%。

英飞凌infineon CoolSiC™  MOSFET 1200 V M1H组合包括TO247-3和TO247-4离散封装，具有新的超低ON电阻7 MΩ、14 MΩ和20 MΩ。它们易于设计，特别是由于门电压过高和过低，新的最大门源电压低于-10 V。离散器件的特点是。XT互连技术带来了热效益，可用于将输出功率提高到15%。