英飞凌infineon为离散牵引逆变器推出了TO247PLUS封装的新型汽车750 V EDT2 IGBT

2022年3月3日英飞凌infineon将推出TO247PLUS封装的新型EDT2 IGBT。这些设备针对汽车离散牵引逆变器进行了优化，并扩展了英飞凌用于汽车应用的离散高压设备组合。由于其高质量，IGBT达到并超过了汽车部件的行业标准AECQ101。因此，这些设备可以显著提高逆变器系统的性能和可靠性。由于采用了汽车微图形沟槽场阻单元设计，IGBT基于一项技术，该技术已成功应用于EasyPACK™ 等多个逆变器模块中2B EDT2或组合

根据目标应用的要求，该产品系列具有抗短路能力。此外，TO247PLUS封装提供了更大的爬电距离，便于设计。EDT2技术针对牵引逆变器进行了优化，击穿电压为750 V，支持高达470 V DC的电池电压，显著降低了开关和传导损耗。

离散EDT2 IGBT的额定电流在100°C时为120 A和200 A，每一个都具有非常低的正向电压，与上一代相比，传导损耗降低了13%。AIKQ200N75CP2的额定电流为200 a，也是TO247Plus封装中同类最佳的分立IGBT。因此，对于定义的目标功率等级，并联所需的设备更少。此外，功率密度增加，系统成本降低。

英飞凌infineonEDT2 IGBT具有极窄的参数分布。典型值和最大值之间的集电极-发射极饱和电压（V ce（sat））差小于200 mV，栅极阈值电压（V GEth）差小于750 mV。此外，热系数为正。总之，这使并行操作变得容易，并为最终设计提供了系统灵活性和电源可扩展性。此外，IGBT具有平滑的开关性能、低栅电荷（Qg）和175°C的高结温（Tvjop）。

英飞凌infineon的离散EDT2 IGBT在100°C时的额定电流为120 A和200 A，每一个都具有非常低的正向电压，与上一代相比，传导损耗降低了13%。AIKQ200N75CP2的额定电流为200 a，也是TO247Plus封装中同类最佳的分立IGBT。因此，对于定义的目标功率等级，并联所需的设备更少。此外，功率密度增加，系统成本降低。