灵活性满足更高的功率密度和性能要求：英飞凌Infineon增强了1200 V EconoDUAL™ 3具有新电流等级的IGBT7组合

2021年9月6日英飞凌为其EconoDUAL推出了新的当前评级™ 3带沟槽式顶部的组合™ IGBT7芯片。电流等级从300 A到900 A不等，该产品组合为逆变器设计师提供了高度的灵活性，同时还提高了功率密度和性能。除了太阳能和驱动应用外，该产品组合还为商用、建筑和农用车辆（CAV）以及不间断电源（UPS）逆变器量身定制。

基于新的微图形沟槽技术，与带有IGBT4芯片组的模块相比，带有沟槽顶部IGBT7芯片的EconoDUAL 3具有更低的静态损耗。

此外，对于相同的芯片面积，其导通电压最多可降低30%。这在应用中带来了显著的损耗降低，尤其是对于通常在中等开关频率下运行的工业驱动器。IGBT的振荡特性和可控性得到了改善。

英飞凌Infineon新电源模块的最大过载连接温度为175°C。

新芯片尺寸可优化模块布局，以降低开关损耗。因此，与前一代相比，600A模块的开关损耗降低了24%。这导致了在更高开关频率的应用中的简化设计。

所有功能可在同一占地面积内实现，便于升级现有逆变器系统设计。对于扩展的750 A和900 A版本，EconoDUAL 3封装解决了改进的逆变器功率范围。

压装外壳可实现快速且经济高效的装配。

英飞凌Infineon基于TRENCHSTOP™ IGBT7芯片，EconoDUAL™ 3与带有IGBT4芯片组的模块相比，具有更低的静态损耗。

对于相同的芯片面积，其通态电压可降低高达30%，从而显著降低应用中的损耗，尤其是对于通常在中等开关频率下工作的工业驱动器。