2021年9月2日英飞凌infineon和松下公司签署了一项协议，共同开发和生产第二代（Gen2）经验证的氮化镓（GaN）技术，提供更高的效率和功率密度水平。

英飞凌infineon卓越的性能和可靠性，加上8英寸GaN-on-Si晶圆生产能力，标志着英飞凌在战略上拓展了对GaN功率半导体不断增长的需求。根据市场需求，Gen2将开发为650 V GaN HEMT。这些设备将易于使用，并提供更高的性价比，尤其针对高功率和低功率开关电源应用、可再生能源、电机驱动应用。

对于许多设计，氮化镓（GaN）比硅具有根本优势。与硅MOSFET相比，GaN HEMT具有出色的动态导通电阻和更小的电容，适合于高速开关。由此产生的功率节省和系统总成本降低、在更高频率下运行、改进的功率密度和整体系统效率使GaN成为设计工程师非常有吸引力的选择。

英飞凌infineon的电源和传感器系统部门总裁安德烈亚斯·乌尔希茨表示：“除了与第1代相同的高可靠性标准外，下一代客户还将受益于晶体管更容易的控制以及显著改善的成本状况，这要归功于转向8英寸晶圆制造。”

就像联合开发的第1代设备，英飞凌infineon的CoolGaN™ 还有松下的X-GaN™, 第二代将基于通常关闭的硅上GaN晶体管结构。这与混合漏极嵌入式门注入晶体管（HD-GIT）结构无与伦比的健壮性相结合，使这些组件成为首选产品，也是市场上最长期可靠的解决方案之一。

工业解决方案公司工程部副主任Tetsuzo Ueda表示：“我们很高兴与英飞凌infineon在GaN组件方面扩大合作伙伴关系。通过联合方式，我们将能够在高质量和最新创新发展的基础上应用Gen1和Gen2设备。”，松下公司。

卓越的性能和可靠性，加上8英寸GaN-on-Si晶圆生产能力，标志着英飞凌和松下对GaN功率半导体不断增长的需求进行了战略性拓展。