英飞凌Infineon推出首款带OptiMOS的15V沟槽功率MOSFET™ PQFN封装中的7项技术

数据中心和计算应用中不断增长的电力需求要求提高电力效率和紧凑型电源设计。英飞凌Infineon通过推出其新型OptiMOS来应对系统层面的趋势™ 7家族，业界首个15V沟槽功率MOSFET技术。OptiMOS 7 15 V系列主要针对服务器、计算、数据中心和人工智能应用的优化DC-DC转换。
 

产品组合包括最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²Source Down，具有标准和中门封装的底部和双侧冷却变体。该产品组合还包括一个坚固的PQFN 2 x 2 mm²变体，带有加固夹。OptiMOS 7 15 V技术专为低输出电压的DC-DC转换量身定制，特别是在服务器和计算环境中。这一进步与数据中心配电中向高比率DC-DC转换的新兴转变相一致。
 

与现有的OptiMOS 5 25 V相比，新的OptiMOS 7 15 V通过降低击穿电压，实现了约30%的R DS（on）和FOMQ g的降低，约50%的FOMQ OSS的降低。PQFN 3.3 x 3.3 mm²Source Down封装变体提供了更通用、更有效的PCB设计。
 

此外，PQFN 2 x 2 mm²封装提供了高于500 a的脉冲电流能力和1.6 K/W的典型RthJC。通过最大限度地减少传导和开关损耗，并结合先进的封装技术，热管理变得简单有效，为功率密度和整体效率设定了新的基准。

英飞凌Infineon OptiMOS 7 15 V系列包括最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²Source Down，具有标准和中心栅极封装的底部和双侧冷却变体。该产品组合还包括一个坚固的PQFN 2 x 2 mm²变体，带有加固夹。