英飞凌infineon CoolSiC™ 产品组合，2 kV电压等级，为1500 VDC应用提供简单、高功率密度的解决方案

对高功率密度的需求不断增加，这促使开发商在其应用中采用1500 V DC链路，以提高每个逆变器的额定功率并降低系统成本。然而，基于1500 V DC的系统也对系统设计提出了更多挑战，例如在高DC电压下快速切换，这通常需要多电平拓扑。这会导致复杂的设计和相对较多的组件。为了应对这一挑战，英飞凌infineon今天推出了其扩展的CoolSiC™ 提供高压解决方案，为下一代光伏、电动汽车充电和储能系统奠定基础。
 

扩展的CoolSiC产品组合提供2千伏碳化硅（SiC）MOSFET，以及一个2千伏SiC二极管，用于高达1500伏直流电的应用。新型SiC MOSFET将低开关损耗和高阻断电压结合在一个设备中，可以最佳地满足1500 V直流系统的要求。

新的2 kV CoolSiC技术提供了一个低漏源导通电阻（Rds（on））值。此外，坚固的体二极管适合硬开关。与1700V SiC MOSFET相比，该技术具有足够的过电压裕度，并提供了由宇宙射线引起的十倍更低的拟合率。此外，扩展的栅极电压工作范围使器件易于使用。

这种新型SiC MOSFET芯片基于英飞凌infineon最近推出的名为M1H的先进SiC MOSFET技术。最新的进展使栅极电压窗口显著增大，从而改善给定芯片尺寸的导通电阻。同时，更大的栅极电压窗口提供了对栅极处与驱动器和布局相关的电压峰值的高鲁棒性，即使在高开关频率下也没有任何限制。

英飞凌infineon提供一系列EiedRiver™ 功能隔离高达2.3 kV的门驱动器，支持2 kV SiC MOSFET。

扩展的CoolSiC产品组合提供2千伏碳化硅（SiC）MOSFET，以及一个2千伏SiC二极管，适用于高达1500伏直流电的应用。新型SiC MOSFET将低开关损耗和高阻断电压结合在一个设备中，可以最佳地满足1500 VDC系统的要求。新的2 kV CoolSiC技术提供了低漏源导通电阻（RDS（on））值。此外，坚固的体二极管适合硬开关。此外，扩展的栅极电压工作范围使器件易于使用。

扩展的CoolSiC产品组合提供2千伏碳化硅（SiC）MOSFET，以及一个2千伏SiC二极管，适用于高达1500伏直流电的应用。新型SiC MOSFET将低开关损耗和高阻断电压结合在一个设备中，可以最佳地满足1500 VDC系统的要求。新的2 kV CoolSiC技术提供了低漏源导通电阻（RDS（on））值。此外，坚固的体二极管适合硬开关。此外，扩展的栅极电压工作范围使器件易于使用。

扩展的CoolSiC产品组合提供2千伏碳化硅（SiC）MOSFET，以及一个2千伏SiC二极管，适用于高达1500伏直流电的应用。新型SiC MOSFET将低开关损耗和高阻断电压结合在一个设备中，可以最佳地满足1500 VDC系统的要求。新的2 kV CoolSiC技术提供了低漏源导通电阻（RDS（on））值。此外，坚固的体二极管适合硬开关。此外，扩展的栅极电压工作范围使器件易于使用。