英飞凌infineon  EconoDUAL™ 3个带TRENCHSTOP™ 模块1700伏IGBT7可实现最高功率密度

英飞凌infineon今天推出了新的TRENCHSTOP™ 标准工业封装EconoDUAL中的1700 V IGBT7芯片™ 3.有了这种新的芯片技术，EconoDUAL 3可提供900 a和750 a的超前电流，并可改善逆变器的功率范围。这些模块的目标是广泛的应用，包括风力、驱动和静态无功发生器（SVG）。

与之前采用IGBT4芯片组的模块相比，采用TRENCHSTOP IGBT7芯片的FF900R17ME7_B11在相同封装尺寸下可使逆变器输出电流提高40%。新的1700 V IGBT7模块还具有显著更低的静态和动态损耗，同时解决了二极管芯片中普遍存在静态损耗的应用。此外，新的芯片技术提供了增强的du/dt可控性和改进的二极管柔软性。在宇宙射线的诱导下，拟合率也显著提高，这是在高直流链路电压下工作时的一个重要参数。此外，新电源模块的最大过载连接温度为175°C。

除了同类产品中最好的1700 V EconoDUAL 3和900 A外，还引入了750 A模块和更大的二极管，以进一步提高新产品组合的灵活性。总的来说，带有沟槽式IGBT 7芯片的新型EconoDUAL 3 1700 V模块可以提高逆变器的功率密度，并在广泛的应用中实现新的性能水平。

用新的TRENCHSTOP™ 1700 V IGBT7芯片技术，英飞凌infineon 的EconoDUAL™ 3提供900 a和750 a的超前电流，使逆变器的功率范围得到改善。该模块还具有显著降低静态和动态损耗的特点，同时解决了二极管芯片中普遍存在静态损耗的应用。此外，新的芯片技术提供了增强的du/dt可控性和改进的二极管柔软性。在宇宙射线的诱导下，拟合率也显著提高，这是在高直流链路电压下工作时的一个重要参数。