英飞凌Infineon推出业界首款适用于空间级FPGA的耐辐射QML-V合格NOR闪存

空间级现场可编程门阵列（FPGA）需要可靠的高密度非易失性存储器，其中包含引导配置。为了满足对高可靠性存储器日益增长的需求，英飞凌Infineon宣布了业界首款符合MIL-PRF-38535的QML-V流量（QML-V等效值）的高密度耐辐射（RadTol）NOR闪存产品。QML-V流程是航空航天级集成电路的最高质量和可靠性标准认证。

英飞凌Infineon的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器为FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用提供了卓越、低引脚数的单芯片解决方案。当以更高的时钟速率使用时，设备支持的数据传输与传统的并行异步NOR闪存相匹配或超过后者，同时显著减少了引脚数。这些器件的抗辐射能力高达30krad（Si）偏压和125krad（Si）无偏压。在125°C时，设备支持1000个程序/擦除周期和30年的数据保留；在85°C时，支持10k程序/擦除周期和250年的数据保留。

作为空间级内存产品的领导者，英飞凌Infineon利用65 nm浮栅闪存工艺技术开发了RadTol 256 Mb quad SPI（QSPI）和512 Mb dual quad SPI NOR闪存。两者都具有133兆赫的SDR接口速度。512 Mb设备包括两个独立的256 Mb芯片，并排安装在单个封装解决方案中。这为设计人员提供了灵活性，使他们能够在两个或单个QSPI模式下独立地在任一芯片上操作设备，并提供了使用第二个芯片作为备份解决方案的选项。英飞凌正与领先的FPGA生态系统公司（如Xilinx）就空间级应用进行密切合作。

“我们的耐辐射双QSPI非易失性存储器完全由最新的空间级FPGA支持。英飞凌Infineon Technologies LLC航空航天和国防部副总裁Helmut Puchner说：“它们提供了一个卓越、低引脚数、单芯片选择的解决方案，用于配置处理器和FPGA。Xilinx Kintex®UltraScale的整个图像™ 例如，XQRKU060在双四元模式下可以在大约0.2秒内加载。”

NOR-Flash器件可以通过FPGA在系统中编程，也可以通过一个独立的编程器在同一个36引线陶瓷平面封装中编程。英飞凌Infineon的开发工具包和软件进一步简化了设计实现。

英飞凌Infineon的256MB和512MB NOR闪存非易失性存储器具有高达30Krad（Si）偏置和125Krad（Si）无偏置的抗辐射能力。在125°C时，设备支持1000个程序/擦除周期和30年的数据保留；在85°C时，支持10k程序/擦除周期和250年的数据保留。它们符合MIL-PRF-38535的QML-V流量（等效QML-V），这是航空航天级集成电路的最高质量和可靠性标准认证。

英飞凌Infineon的256MB和512MB NOR闪存非易失性存储器具有高达30Krad（Si）偏置和125Krad（Si）无偏置的抗辐射能力。在125°C时，设备支持1000个程序/擦除周期和30年的数据保留；在85°C时，支持10k程序/擦除周期和250年的数据保留。它们符合MIL-PRF-38535的QML-V流量（等效QML-V），这是航空航天级集成电路的最高质量和可靠性标准认证。