英飞凌infineon Optimized CoolSiC™  D²PAK中的MOSFET 650 V，应用损耗最低，运行可靠性最高

2022年3月21日——数字化、城市化和电动汽车等大趋势导致电力消耗增加。与此同时，能源效率也变得越来越重要。英飞凌infineon通过提供新的CoolSiC™系列来应对这些大趋势和由此产生的需求 650 V碳化硅（SiC）MOSFET可提供可靠、易于使用且具有成本效益的最佳性能。这些设备基于英飞凌最先进的碳化硅沟槽技术，采用紧凑的D 2PAK SMD 7针封装，带有。XT互连技术。他们的目标是高功率应用，包括服务器、电信、工业SMP、快速电动汽车充电、电机驱动、太阳能系统、储能和电池组。

与最佳硅基准相比，新产品在更高电流下提供了更好的开关行为，反向恢复电荷（qrr）和漏源电荷（qoss）降低了80%。降低的开关损耗允许在更小的系统尺寸下进行高频操作，从而实现更高的效率和功率密度。沟槽技术是提高栅氧化层可靠性的基础。再加上改进的雪崩和短路鲁棒性，即使在恶劣环境中也能确保最高的系统可靠性。SiC MOSFET适用于具有重复硬换流的拓扑结构，以及高温和恶劣操作。由于导通电阻（Rds（on））对温度的依赖性非常低，因此它们表现出优异的热性能。

新系列具有从栅极到源极（VGS）的宽电压范围（从-5V到23V），支持0V关断VGS和大于4V的栅极-源极阈值电压（VGS（th）），还可与标准MOSFET栅极驱动器IC配合使用。此外，新产品支持双向拓扑结构和完整的dv/dt可控性，降低了系统成本和复杂性，并易于采用和集成。这个XT互连技术显著提高了封装的热性能。与标准互连相比，可以消除高达30%的额外损耗。英飞凌infineon D 2PAK 7针SiC MOSFET产品组合拥有十种新产品，是市场上粒度最大的产品。

英飞凌infineon The CoolSiC™  D²PAK中的MOSFET 650 V带。

XT互连技术在更高电流下提供了更好的开关行为，与最佳硅基准相比，反向恢复电荷（Qrr）和漏源电荷（QOS）降低了80%。降低的开关损耗允许在更小的系统尺寸下进行高频操作，从而实现更高的效率和功率密度。沟槽技术是提高栅氧化层可靠性的基础。再加上改进的雪崩和短路鲁棒性，即使在恶劣环境中也能确保最高的系统可靠性。