英飞凌infineon 的业界首款空间限定串行接口F-RAM为极端环境提供了2MB密度的非易失性存储

2022年4月14日英飞凌infineon旗下的英飞凌科技有限责任公司（Infineon Technologies LLC）今天宣布，为极端环境提供航天行业首款抗辐射（rad-hard）串行接口铁电RAM（F-RAM）。新设备提供了无与伦比的可靠性和数据保留，比用于空间应用的非易失性EEPROM和串行NOR闪存设备更节能。

英飞凌infineon 的内存产品组合中添加了一个QML-V合格的F-RAM，使其具有几乎无限的耐久性、即时非易失性写入技术，以及100多年的数据保留期，可用于空间应用。作为串行NOR闪存和EEPROM的直接替代品，rad硬F-RAM非常适合用于关键任务数据的数据记录、遥测存储以及命令和控制校准数据存储。新设备也非常适合为微控制器、FPGA和ASIC提供引导代码存储解决方案。

对行业标准串行外围接口（SPI）协议的支持提高了易用性，并支持更小的占地面积和更低的引脚数。串行协议越来越多地用于卫星和空间应用，多家供应商现在提供支持SPI的空间级处理器、FPGA和ASIC。

英飞凌infineon Technologies航空航天和国防部副总裁研究员赫尔穆特·普什纳说：“作为通过我们的IR HiRel业务和空间级存储器在空间应用高可靠性解决方案方面的公认领导者，Infineon致力于为下一代空间应用提供最可靠、节能的存储器。”。“新推出的rad硬F-RAM设备具有优越的写入能力，比替代产品的功耗要求更低，并且支持系统设计，组件更少，性能更高，可靠性不受影响。我们期待着在太空市场创造更多行业第一。”

带有SPI的2MB密度F-RAM是其rad硬非易失性F-RAM系列中的第一款。该设备几乎具有无限的耐久性，无磨损均衡，在工作电压范围为2.0 V至3.6 V的85°C下，具有10万亿次读/写周期和120年的数据保留。最低工作电流为10 mA最大值，极低编程电压为2 V。

rad硬F-RAMs还适用于要求军用标准温度等级达到-55°C至125°C的航空电子和其他应用。其他功能包括16英寸陶瓷SOP封装的小占地面积。经DLAM QML-V认证的设备具有以下优越的辐射性能：

TID: >150 Krad (Si)

SEL: >114 MeV·cm 2/mg @115°C

SEU: Immune

SEFI: <1.34 * 10-4 err/dev.day

带有SPI的2MB密度F-RAM是其rad硬非易失性F-RAM系列中的第一款。这些设备几乎具有无限的耐久性，无磨损均衡，在工作电压范围为2.0 V至3.6 V的85°C条件下，具有10万亿次读/写周期和120年的数据保留。

首款用于空间应用的抗辐射串行接口2MB密度F-RAM非常适合用于关键任务数据的数据记录、遥测存储以及命令和控制校准数据存储。它是串行NOR闪存和EEPROM的直接替代品