1.MOS管场效应管的输入电阻非常高，栅极与源极之间的电容很小，因此很容易受外界静电或电磁场感应带电，即使少量电荷就会栅极与源极之间的电容上产生高电压U=Q/C，MOS管场效应管就会损坏。 静电：有吸引，排斥的力量或电场存在，与地面产生电位差；即有放电电流。 静电对电子元器件产生的影响： 1)电场或电流破坏元器件绝缘层或导体，即会损坏； 2)电流产生过热或是瞬间电场软击穿，即寿命变短； 3)元器件吸附灰尘，线路间阻抗被改变，即可影响功能和寿命；

场效应管分两种：结型场效应管（junction FET—JFET)  + 金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET），场效应管是场效应晶体管人简称，因数载流子参与导电也被称之为单极型晶体管； 场效应管MOS管的优点： 1.噪声小 2.大动态范围 3.输入电阻高 4.低功耗 5.集成容易 6.不会有二次击穿现象 7.具有很宽的安全工作区域 8.因利用多数载流子导电，温度稳定性较好 9.电压控制电子元器件并用是VGS栅源电压控制ID漏极电流

如果变压器驱动方式或是集成的高边开关，那么就要使用驱动高压MOS管（场效应管） 集成高边驱动器解决方案 优势： 1.方便 2.电路板面积较小 缺点： 1.导通大 2.关断延迟 变压器耦合解决方案 优势： 1.可在很高的压差下工作 2.延迟很低 缺点： 1.需要很多元器件 2.对变压器的运行有比较深入认识 变压器有两个绕组：初级绕组和次级绕组实现隔离，初级和次级的匝数比变化实现电压缩放，因此电压不需要在设计时作调整，隔离是最主要的；

MOS管设计开关电源或是马达驱动电路，我们经常考虑的是MOS管（场效应管）的导通电阻，最大电压及电流因素，但是这并不是完美的设计，甚至在正式设计中是不被接受的。 MOS管（场效应管）种类和结构 MOS管（场效应管）= FET + JFET，可设计成 增强型 + 耗尽型 + P沟道 + N沟道 最常用到的是：增强型的N沟道（NMOS） + 增强型的P沟道（PMOS） 增强型的N沟道（NMOS）优势是：通电阻小 + 容易设计，因此在开关电源，马达驱动 最常用； MOS管（场效应管）有三个管脚，分别是G、S、D,三个管脚之间存在寄生电容,因制造工艺限制，寄生电容会让设计及选择驱动电路时会复杂一些； MOS管（场效应管）的漏极和源极之间有一个寄生二极管，我们把它叫作体二极管，在驱动感性负载（如马达）中此二极管非常重要的，但此二极管在集成电路芯片内部是没有的。

150V OptiMOS™ 与下一个最佳竞争对手相比，R D（开）降低了40%，性能指标（FOM）降低了45%。这种巨大的改进带来了新的可能性，比如从含铅的软件包转移到SMD软件包，或者用一个OptiMOS™有效地替换两个旧部件部分。 英飞凌场效应管BSC520N15NS3 G的功能特征概要 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2

MOS管（场效应管）始终在安全区域，意味着不会炸机； 开关电源中最容易烧坏的电子元器件是MOS管及IGBT，在工作过程中元器件因电压高，电流大，长期功耗大，在过压或是过流时功耗大增，晶圆结温急速上升，散热不到位，此时元器件就有可能损坏或都是炸机； MOS管（场效应管）安全工作区域 炸机其实是与SOA相关； SOA是什么意思 SOA的英文全称是Safe operating area 安全工作区域：由一系列限制条件组成的一个漏源极电压VDS和漏极电流ID的二维坐标图，开关器件正常工作时的电压和电流都不应该超过该限定范围。

功率MOS管（场效应管）发热 功率管发热与功率管功耗相关； 功率管功耗：开关损耗 + 导通损耗 导致开关损耗的原因与：功率管MOS管（场效应管）的cgd及cgs，芯片驱动能力，工作频率相关； 解决方案： 1.选择适合的功率MOS管（场效应管）选择够用即可； 注意：不能根据导通电阻大小选择功率MOS管（场效应管），内阻越小，cgs和cgd电容越大； 2.频率与导通损耗成正比，功率MOS管（场效应管）发热可能是频率高了，如果降低频率，那么电流或电感就要变大，从而导致电感进入饱和区域，电感饱和电流足够的大，可CCM(连续电流模式)改成DCM(非连续电流模式)，再增加一个负载电容；

50V OptiMOS™与下一个最佳竞争对手相比，R D（开）降低了40%，性能指标（FOM）降低了45%。这种巨大的改进带来了新的可能性，比如从含铅的软件包转移到SMD软件包，或者用一个 OptiMOS™ 有效地替换两个 OptiMOS™ 部分。 英飞凌场效应管BSC190N15NS3 G的功能特征概要 1.卓越的开关性能 2.世界最低研发水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的栅电荷x R DS（on）产品（FOM） 5.符合RoHS标准的无卤素 6.MSL1等级2

OptiMOS™是高效发电（如太阳能微型逆变器）、电源（如服务器和电信）和功耗（如电动汽车）解决方案的市场领导者。 英飞凌场效应管它BSC123N08NS3 G的功能特征概要 1.DC-DC转换器的优化技术 2.出色的栅电荷x R DS（ON）产品（FOM） 3.卓越的耐热性 4.双面冷却 5.低寄生电感 6.低剖面（<0,7mm） 7.N通道，正常电平 8.100%雪崩测试 9.无铅电镀；符合RoHS

新的OptiMOS™来自英飞凌的5150v功率mosfet特别适用于低电压驱动，如叉车和电动滑板车，以及电信和太阳能应用。新产品在不影响FOM gd和FOM OSS的情况下，在R DS（开）（比SuperSO8中的次优选择高出25%）和Q rr方面取得突破性的降低，有效地减少了设计工作量，同时优化了系统效率。此外，超低反向恢复电荷（Q rr=26nc，在SuperSO8中）增加了换相的坚固性。 英飞凌场效应管BSC093N15NS5的功能特征概要 1.在不影响FOM gd和FOM oss的情况下降低R DS（开） 2.输出电荷更低 3.超低反向回收费用 4.增加了换向的坚固性 5.更高的开关频率