MOS管损耗组成：导通损耗Pon+截止损耗Poff+开启过程损坏+关断过程损耗+驱动损坏Pgs+Coss电容的泄放损耗Pds+体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f+体内寄生二极管反向恢复损耗Pd_recover

绝缘栅型场效应管电路符号 如下所示： 绝缘栅型场效应管：种利用半导体表面的电场效应，感应电荷多少改变导电沟道来控制漏极电流的电子元器件； 栅极与半导体间绝缘；  N沟道 在一块浓度较低P型硅上扩散两个浓度较高N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

电源变压器MOS场效应管逆变器 逆变器组成：MOS场效应管+电源变压器 输出功率：由MOS场效应管功率，电源变压器功率决定;方波产生: CD4069方波信号发生器，如上图电路中R1=补偿电阻 R1作用：改善电源电压变化引起震荡频率不稳； 电路震荡通过电容C1充放电完成；  振荡频率公式 f=1/2.2RC 最大频率公式 fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz 最小频率公式 fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz 注意：输入端要接地；

英飞凌mos管场效应管IPW60R099P7功能概述 1.600V P7可实现出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G 2.ESD坚固性≥2kV（HBM 2级） 3.集成栅电阻R G 4.坚固的体二极管 5.在通孔和表面安装封装中有广泛的产品组合 6.提供标准级和工业级零件 优势 1.出色的FOMs R DS（on）xQ G/R DS（on）xE oss可提高效率 2.通过停止发生ESD故障，在制造环境中易于使用 3.集成R G降低了MOSFET振荡灵敏度 4.MOSFET适用于硬开关和谐振开关拓扑，如PFC和LLC 5.在LLC拓扑结构中的体二极管硬换流期间具有优异的耐用性 6.适用于各种终端应用和输出功率 7.适用于消费和工业应用的零件

输入端A与B中：其中任一个是高电平，即与相连NMOS管导通，与相连PMOS管截止， 输出是低电平； A与B都是低电平，2个并联NMOS管截止，2个串联PMOS管导通，输出是高电平；若n个输入端或非门：即有n个NMOS管并联 + n个PMOS管并联组成； CMOS与非门，或非门 相比较： 与非门：MOS管串联，输出电压与MOS管个数增加而增大； 或非门：MO管并联，输出电压不一致有明显影响。

MOS场效应管特点 1.电压控制器件; 2.输入阻抗很高; 3.驱动功率小; 4.驱动电路简单; 5.输入电路功耗减小，有助于控制并实现最大功率； 6.噪声容限高； 7.抗干扰能力强； 8.较宽安全工作区不会产生热点及二次击穿； 9.零温度系数工作点，ID不受温度变化而影响，热稳定性好；

MOS管更换原则 1.原型号 2.不要追求功率比原先大 原因：功率大，输入电容大，或与激励电路不匹配； 激励灌流电路充电限流电阻值与MOS管输入电容有关，即使MOS管开与关性能变坏， 因此，输入电容参数要一致； 3.更换损坏的MOS管同时，周边灌流电路电子元器件也要更换； 原因： A：与MOS管损坏元原有关，可能引起损坏原因是灌流电路电子元器件不好； B：MOS管损坏，击穿瞬间，灌流电路电子元器件也有可能损伤；

高速650V，硬开关IGBT TRENCHSTOP™ 在TO-247封装中，5与RAPID 1快速软反并联二极管共同封装，被定义为“同类最佳”IGBT。 英飞凌MOS管场效应管IKW50N65EH5功能概述 1.650 V突破电压 2.与同类最佳的高速3系列相比 3.系数2.5低Qg 4.因数2开关损耗降低 5.VCEsat降低200mV 6.与快速硅二极管技术共同封装 7.低COES/EOS 8.温和的正温度系数VCEsat 9.Vf的温度稳定性 优势 1.最佳连接，从而降低效率 2.外壳温度导致更高的设备可靠性 3.在不影响母线电压的情况下，母线电压可增加50 V 4.可靠性 5.更高功率密度设计

MOS管构成缓冲器Buffer和漏极开路门OD门 MOS管场效应管通过搭配可构成各种门电路反相器电路：如下图所示：输入和输出状态相反，称之反相器。 输入Vi=低电平：上管导通，下管截止，输出=高电平； 输入Vi=高电时：上管截止，下管导通，输出为低电平。A,B输入=低电平：1,2管导通，3,4管截止，C端电压与Vdd一致，输出高电平； A输入高电平，B输入低电平：1,3管导通，2,4管截止，C端电位与1管的漏极保持一致，输出高电平。 A输入低电平，B输入高电平：2,4导通，1,3管截止，C端电位与2管的漏极保持一致，输出高电平。 当A，B输入=高电平：1,2管截止，3,4管导通，C端电压与地一致，输出低电平。

CMOS管内部电路组成 输出用P沟道MOS晶体管+误差放大器+预先调整输出电压用电阻+基准电压源 保护功能电路组成： 定电流限制+限流电路或foldback电路+过热停机与低ESR电容对应，能改变各自内部的相位补偿或电路构成。 低消耗电流型：2级阶放大器组成 高速型：使用同时满足低消耗电流和高速瞬态响应3级放大器； 在初级放大器和用于输出P沟道MOS晶体管间加入缓冲用放大器，能高速驱动输出用P沟道MOS晶体管的门极容量。