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- 英飞凌Infineon 推出TOLG与TOLT提高稳定性及高热性能-竟业电子
- 英飞凌Infineon 推出新OptiMOS™ TOLx系列产品包：TOLG可提高TCoB稳定性，TOLT可提高热性能
电子踏板车、电子叉车和其他轻型电动汽车（LEV）以及电动工具和电池管理系统等应用，要求高电流额定值、耐用度和延长使用寿命。
英飞凌Infineon 通过向电力系统设计师提供更多选择，以满足不同的设计需求，并在最小空间实现最大性能，从而满足这些要求。英飞凌Infineon 采用了创新型无铅（收费）软件包，现在提供了两款新的OptiMOS™ TOLx系列中的功率MOSFET封装：TOLG（带沟道引线）和TOLT（用于引线顶部冷却）。TOLx系列提供了非常低的R DS（on）和超过300A的高电流额定值，以提高系统在高功率密度设计中的效率。
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- 英飞凌EiceDRIVER™ 1EDB单通道门驱动器集成电流隔离-竟业电子
- 英飞凌infineon EiceDRIVER™ 1EDB单通道门驱动器IC系列，在小型150 mil 8针DSO封装中集成电流隔离
英飞凌infineon降低复杂性，提高功能性和效率是所有照明制造商的主要议程。在这方面，OSRAM和英飞凌现在联手为业界实现近场通信（NFC）编程。OSRAM新光电® FIT产品系列具有Infineon的NLM0011和NLM0010双模NFC无线配置集成电路（IC）和脉宽调制（PWM）。这将为LED灯具价值链的各个层面带来好处。
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- MOS场效应管电感功耗阻性损耗-MOS场效应管应用-竟业电子
- MOS场效应管电感功耗=线圈损耗+磁芯损耗
线圈损耗=线圈直流电阻DCR
磁芯损耗=电感磁特性
DCR 电阻公式：
Ρ=线圈材料的电阻系数
l =线圈长度
A =线圈横截面积
DCR 值：随着线圈长度增加而增大，随着线圈横截面积增加而减小；
即用以上特点判断感，一个固定电感值，电感尺寸小，要保持相同匝数必须减小线圈的横截面积，因此DCR 增大；
若给定电感尺寸，小电感值即得小DCR；
较少线圈数减少线圈长度，可使用线径较粗导线。
若：DCR值已知和平均电感电流(具体取决于SMPS 拓扑)
电感电阻损耗(PL(DCR))值：
PL(DCR)= LAVG2× DCR
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- 英飞凌infineon小型150 mil 8针DSO封装中集成电流隔离-竟业电子
- 英飞凌infineon扩大了其不断增长的单通道门驱动器IC产品组合。新EiceDRIVER™ 1EDB系列单通道门驱动器IC提供3 kV rms（UL 1577）的电流输入到输出隔离，确保坚固的接地回路分离。他们的共模瞬态抗扰度（CMTI）超过300伏/纳秒，使这些设备的硬开关应用，使许多拓扑结构的完美选择。
新的1EDB系列包括四个部分（1EDB6275F、1EDB7275F、1EDB8275F和1EDB9275F），并针对高端/低端应用进行了优化。它们可以解决服务器和电信交换式电源（SMPS）以及不间断电源（UPS）系统等大功率应用中常见的PCB布局问题。
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- MOS场效应管一周期损耗分析-MOS场效应管知识-竟业电子
- 实际，当Vgs两端电压达>10V，Rdson会达到最小值。
若给一个余量，建议Vgs驱动电压=12V或15V。
通过分析MOS场效应管的米勒平台区域是最危险的区域。
MOS场效应管一周期损耗分析
t0-t1时刻：无损耗；
t1-t2时刻：有损耗，用平均电流Id/2*Vds；
t2-t3时刻：有损耗，用平均电压*Id；
t3-饱和导通时刻：有损耗；
饱和导通后，导通损耗Rdson*Id^2。
因MOS场效应管在开通期间，电压与电流同时存在，有开通损耗，关断期间有关断损耗。
MOS场效应管损耗：开通损耗+关断损耗+导通损耗+续流损耗；
负载电流与Vbus电压无从改变，米勒平台时间决定开关损耗。
开关损耗减小，怒缩短米勒平台时间，栅极电阻值要减小，栅极驱动电流要增大，
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- MOS场效应管Drain>Bulk雪崩击穿-竟业电子
- MOS场效应管PN结雪崩击穿
因漏极反偏电压下，PN结耗尽区展宽，反偏电场加在PN结反偏上面，让电子加速撞击晶格，生成新电子空穴对 ，再电子继续撞击，因此雪崩倍增持续，因而击穿。
此时击穿电流值，快速增大，I-V curve垂直向上，易烧毁。
juncTIon BV怎么改善
PN结本身特性，降低耗尽区电场，避免碰撞产生电子空穴对，
电压降低无作用，即耗尽区宽度增加，改变doping profile，突变结击穿电压比缓变结低。
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- MOS场效应管驱动电流计算方法-场效应管应用-竟业电子
- Ig=MOS场效应管栅极驱动电流；
密勒效应时间即开关时间
Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Vb：稳态栅极驱动电压；
Ig=Qg/Ton
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod
td(on)：MOS场效应管导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
Tr：上升时间，即输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
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- 英飞凌Infineon新ModusToolbox™应用-竟业电子
- 英飞凌Infineon新ModusToolbox™ 机器学习使TinyML成为安全的AIoT
人工智能与物联网IoT的结合，为连接设备提供机器学习能力，使他们能够执行智能任务。根据市场和市场数据，预计到2024年，AIoT市场将从2019年的51亿美元增至162亿美元，年均增长率为26%。在公司加快发展差异化AIoT产品的最新举措中，英飞凌科技股份有限公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）今天宣布发布ModusToolbox™ 机器学习（ML）。它在英飞凌Infineon的PSoC上实现了基于深度学习的工作负载™ 微控制器（MCU）。
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- 共源共栅MOS场效应管应用于输出差动对中-MOS场效应管应用-竟业电子
- 差动输入单端输出设计
原理：将共源共栅MOS场效应管应用于输出差动对中，与输入级中MOS场效应管类型相反；
M1+M2组成差动对MOS场效应管，即N沟道；
M1c+M2c组成共源共栅MOS场效应管，即P沟道；
类型相反MOS场效应管即要安排允许单增益级放大器输出在相同偏置电压水平上作为输入信号。
即一个折叠式共源共栅放大器：是一个单增益级；
其增益≈700-3000合理
会出现高增益：因增益是由输入跨导和输出阻抗决定，输出阻抗因用共源共栅技术而高。
差动→单端转变：由M5+M5c+M6+M6c组成的宽幅镜像电流源实现；
差动输出设计中：2个宽幅共源共栅电流吸收器即可代替以上，且可添加共模反馈电路。
负载电容CL实现补偿，小负载电容应用中，确定稳定性得添加附加补偿电容与负载并联；
超前补偿：添加一个电阻与CL串联；
有些应用无法超前补偿，如主要负载电容提供补偿电容，此时；
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