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  • MOS场效应管驱动电流计算方法-场效应管应用-竟业电子

       时间:2021/5/24       阅读:3832    关键词:MOS场效应管

     

    Ig=MOS场效应管栅极驱动电流;

    密勒效应时间开关时间

    Ton/off=Qgd/Ig

    Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg

    Vb:稳态栅极驱动电压;

     

     

    Ig=Qg/Ton

    Ton=t3-t0td(on)+tr

    Qg=CEI(VGS)Qg=Qgs+Qgd+Qod

    td(on)MOS场效应管导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。

    Tr:上升时间,即输出电压VDS90%下降到其幅值10%的时间

     

     

    Total Gate Charge曲线

    MOS场效应管驱动电流计算方法

     

    一般在数据表时可以查到,此曲线先上升水平上升

     

    水平密勒效应0.2usMOS场效应管开通,预估总时间=0.4us

    Qg=67nC

    67nC/0.4us=0.1675A

    峰值

    MOS场效应管开通0.2us和关0.2us有电流,在其他时间几乎几乎电流平均值小

    驱动芯片不能输出峰值,MOS场效应管开通变慢

     

     

     

     

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