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时间:2021/5/24 阅读:3832 关键词:MOS场效应管
Ig=MOS场效应管栅极驱动电流;
密勒效应时间即开关时间
Ton/off=Qgd/Ig;
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;
Vb:稳态栅极驱动电压;
Ig=Qg/Ton
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod
td(on):MOS场效应管导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
Tr:上升时间,即输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Total Gate Charge曲线
一般在数据表时可以查到,此曲线先上升→水平→上升
水平:密勒效应,0.2us内MOS场效应管开通,预估总时间=0.4us
Qg=67nC
67nC/0.4us=0.1675A
即峰值;
MOS场效应管开通0.2us和关断0.2us有电流,在其他时间几乎几乎电流,平均值小,
驱动芯片若不能输出此峰值,MOS场效应管开通即变慢