MOS场效应管电学特性

1.MOS场效应管三层结构：金属层+绝缘层+半导体基板，金属层用多晶硅代替金属作为栅极材料，绝缘层二氧化硅。

2.MOS场效应管对称，施加电压即可确定栅极+源极+漏极，NFS时，导电通过电子，电子源”定义为源能级，低压侧源极，高压侧漏极。

3.在沟道中电荷量分布不均匀，离源极近的有高电荷量，离漏极近低电荷量。

4.栅极电压 > 源极电压V_TH，沟道中积累电荷足够，若源极和漏极间有电压差，电荷即流动，在电压驱动下形成电流。

 

伏安特性曲线

 

V_GS ≦V_TH，即截止区域，源极与漏极不导电。

V_GS> V_TH  V_DS≦V_GS-V_TH，源极与漏极间导通，I_D与V_GS+V_DS有关，即第三区。

V_GS> V_TH   V_DS> V_GS-V_TH，源极与漏极间连续性，通道具有夹断效应，I_D仅与V_GS有关。

随着时间变化，MOS场效应管是一个受控电流源，此时由V_GS控制，即饱和区。