优化Mos场效应管用何种负载电流 负载范围内实现均衡效率，那要查看四象限SR元伯优化表，对应Mos场效应管电流作选择。 满负载优化方式 输出电流高，实现效率好，低负载时，效率降低，且增加并联Mos场效应管数量，不可为之。 得到Mos场效应管电流最优值，整个输出电流范围内，实现相对恒定效率值。

MOS场效应管=金属氧化物半导体场效应管 组成：金属+氧化物SiO2或SiN)+半导体 功率MOSFET即Power MOSFET：输出大工作电流，应用于功率输出级，工作电流=几安~几十安 MOS场效应管的重要参数 最大耐压+最大电流能力+导通电阻RDSON 导通电阻RDSON 它是这三个参数的最生要的一个参数，电阻越小，导损耗越小； MOS场效应管总损耗=导通电阻造成导通损耗+闸极电荷造成驱动电路上损耗切换损耗+输出电容在截止或导通过程中造成功率MOSFET储能耗能

PMOS场效应管变容高频特性建模 晶体管级电路模拟仿真用Candence Spectre及HSpice，据晶体管静态条件，建模型容易对PMOS场效应管变容管准静态特性获取，无法获取高频特性. 根据MOS场效应管变容管准静态特性基本参数 用特性曲线拟合对PMOS场效应管高频特性建模

MOS场效应管驱动器应用于电机控制时，如何选择适合电子元器件。功率开关器件选择 由被驱动电机额定功率决定，启动电流值最高=稳态工作电流值*3 选择的器件：MOS场效应管与IGBT,元件输入级，把输入低电压信号转化成电压覆盖全范围信号 Q1=MOSFET驱动器上拉输出驱动器级 Q2=MOSFET驱动器下拉输出驱动器级 MOSFET驱动器输出级=一个推挽对

元件每部分存在电容+MOS场效应管并联二极管1个+寄生晶体管1个 MOS场效应管动态特性重要因素 MOS场效应管结构带本征二极管，它具有雪崩能力。  雪崩能力=单次雪崩能力+重复雪崩能力 反向di/dt大，二极管承受快速度脉冲尖刺，可能进入雪崩区，超过雪崩能力，即元件损毁。 任一种PN结二极管，动态特性复杂，与PN结正向时导通反向，阻断概念不同。 电流迅速下降，二极管一阶段失去反向阻断能力，即反向恢复时间。

电源IC直接驱动MOS场效应管 这是一种最简单的驱动方式，不同芯片，驱动能力不同，MOS场效应管有寄生电容； C1与C2值大，MOS场效应管导通时需要大能量，若电源IC驱动峰值电流不够大，MOS场效应管导通速度慢，驱动能力不足，上升沿高频振荡，即Rg值减小，也无能为力； Rg值选择由电源IC驱动能力+MOS寄生电容值+MOS场效应管开关速度决定； 选择大的MOS场效应管寄生电容，电源IC内部驱动能力不足，用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，如下图虚线部份

接口：CMOS场效应管发光二极管LED及晶体三极管VT的电路图,发光二极管特性 1.低功耗 2.寿命长 3.可靠性高 4.应用与CMOS集成电路配合是最佳终端显示器件； CMOS场效应管集成电路可直接驱动高发光效率LED VDD=10~18V   LED亮度足够 VDD=10V  输出短路电流=20mA，则导致LED或CMOS集成电路损坏 CMOS集成电路驱动LED时必须串入限流电阻，即限流保护；

脉冲漏极电流即IDM MOS场效应管工作在饱和区，即放大区恒流状态； 若：MOS场效应管稳态工作在可变电阻区，对应VGS放大恒流状态漏极电流 > 系统最大电流; 导通过程，MOS场效应管经Miller平台区，Miller平台区VGS电压对应系统的大电流，全部清除Miller电容电荷，VGS电压增大→可变电阻区→VGS稳定在最大栅极驱动电压；

CMOS场效应管随机振荡器电路工作原理，单位增益缓冲器组成：M1～M5+M7+M8+R1 振荡器充电电流基I1=Vo/R1 R1=可调节电阻 调节R1即对充电电流基I1调整 电压比较器组成：M10～M18 用M18与M19电流镜产生单端输出Vout。 M25产生镜像电流I2并对时间常数电容C充电。 随机电流充电电路 随机控制信号V1～V4，随机打开M27～M30管，镜像作用，电容C充电电流变大，电容C充电速度加快，即振荡器频率改变。 电路M21～M24管宽长比比值设计为8：4：2：1 振荡器振荡频率可完全覆盖某一频率范围，保证振荡器在某一频率范围内连续随机变化。 电容C上电压Ve < Vmt电压，比较器输出=0 Ve>Vmt时  比较器输出电压升高，直到比较器输出电压高于整形电路(施密特触发器)

增强型N沟道FET采用共源极结构，电势：门极与源相同，漏源极间沟道电阻高，被认为关断，场效应管要正门极到源电压，导通沟道在漏源极间传导； 未完全饱和，场效应管沟道电阻变化大，致模拟信号出现问题，要在整个信号幅度范围失真低，用增强型场效应管模拟开关失去电源，并且状态不确定，传导不会很好，隔离信号也并不好；低沟道电阻，沟道被认为导通，被认为无电源，耗尽型是传导，因设计原因，线性沟道电阻，整个信号幅度范围失真低；