英飞凌infineon扩大了其不断增长的单通道门驱动器IC产品组合。新EiceDRIVER™ 1EDB系列单通道门驱动器IC提供3 kV rms（UL 1577）的电流输入到输出隔离，确保坚固的接地回路分离。他们的共模瞬态抗扰度（CMTI）超过300伏/纳秒，使这些设备的硬开关应用，使许多拓扑结构的完美选择。 新的1EDB系列包括四个部分（1EDB6275F、1EDB7275F、1EDB8275F和1EDB9275F），并针对高端/低端应用进行了优化。它们可以解决服务器和电信交换式电源（SMPS）以及不间断电源（UPS）系统等大功率应用中常见的PCB布局问题。

实际，当Vgs两端电压达>10V，Rdson会达到最小值。 若给一个余量，建议Vgs驱动电压=12V或15V。 通过分析MOS场效应管的米勒平台区域是最危险的区域。 MOS场效应管一周期损耗分析 t0-t1时刻：无损耗； t1-t2时刻：有损耗，用平均电流Id/2*Vds； t2-t3时刻：有损耗，用平均电压*Id； t3-饱和导通时刻：有损耗； 饱和导通后，导通损耗Rdson*Id^2。 因MOS场效应管在开通期间，电压与电流同时存在，有开通损耗，关断期间有关断损耗。 MOS场效应管损耗：开通损耗+关断损耗+导通损耗+续流损耗； 负载电流与Vbus电压无从改变，米勒平台时间决定开关损耗。 开关损耗减小，怒缩短米勒平台时间，栅极电阻值要减小，栅极驱动电流要增大，

MOS场效应管PN结雪崩击穿 因漏极反偏电压下，PN结耗尽区展宽，反偏电场加在PN结反偏上面，让电子加速撞击晶格，生成新电子空穴对 ，再电子继续撞击，因此雪崩倍增持续，因而击穿。 此时击穿电流值，快速增大，I-V curve垂直向上，易烧毁。 juncTIon BV怎么改善 PN结本身特性，降低耗尽区电场，避免碰撞产生电子空穴对， 电压降低无作用，即耗尽区宽度增加，改变doping profile，突变结击穿电压比缓变结低。

Ig=MOS场效应管栅极驱动电流； 密勒效应时间即开关时间 Ton/off=Qgd/Ig； Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg； Vb：稳态栅极驱动电压； Ig=Qg/Ton Ton=t3-t0≈td(on)+tr Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod td(on)：MOS场效应管导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。 Tr：上升时间，即输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间

英飞凌Infineon新ModusToolbox™ 机器学习使TinyML成为安全的AIoT 人工智能与物联网IoT的结合，为连接设备提供机器学习能力，使他们能够执行智能任务。根据市场和市场数据，预计到2024年，AIoT市场将从2019年的51亿美元增至162亿美元，年均增长率为26%。在公司加快发展差异化AIoT产品的最新举措中，英飞凌科技股份有限公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）今天宣布发布ModusToolbox™ 机器学习（ML）。它在英飞凌Infineon的PSoC上实现了基于深度学习的工作负载™ 微控制器（MCU）。

差动输入单端输出设计 原理：将共源共栅MOS场效应管应用于输出差动对中，与输入级中MOS场效应管类型相反； M1+M2组成差动对MOS场效应管，即N沟道； M1c+M2c组成共源共栅MOS场效应管，即P沟道； 类型相反MOS场效应管即要安排允许单增益级放大器输出在相同偏置电压水平上作为输入信号。 即一个折叠式共源共栅放大器：是一个单增益级； 其增益≈700-3000合理 会出现高增益：因增益是由输入跨导和输出阻抗决定，输出阻抗因用共源共栅技术而高。 差动→单端转变：由M5+M5c+M6+M6c组成的宽幅镜像电流源实现； 差动输出设计中：2个宽幅共源共栅电流吸收器即可代替以上，且可添加共模反馈电路。 负载电容CL实现补偿，小负载电容应用中，确定稳定性得添加附加补偿电容与负载并联； 超前补偿：添加一个电阻与CL串联； 有些应用无法超前补偿，如主要负载电容提供补偿电容，此时；

PMOS场效应管的D接低电平，S接高电平； PMOS场效应管G极=低电平，DS导通，高电平断开，即可用于控制与电源间的通断； NMOS场效应管D接高电平，S接低电平； NMOS场效应管管G极=高电，DS导通，低电平断开，即用于控制与地间的通断；MOS场效应管应用于非门，并实现非门。PMOS场效应管D极+MOS场效应管D极相连接，对应的G极也相接，即非门电路； 移家虽带郭，野径入桑麻。近种篱边菊，秋来未著花。扣门无犬吠，欲去问西家。 报道山中去，归时每日斜。 A点=低电平，PMOS 场效应管导通，NMOS 场效应管截止，输出端Y=高电平； A点=高电平，N导通，P截止，输出端Y=低电平。

电源开关电路应用于功能模块电路电源通断控制中，在电路中比较常见。 如下图所示电源开关电路，即用MOS场效应管实现带软开启功能电路。1个MOS场效应管符号=1个完整MOS场效应管电源开关电路 设计时，加C1电容1个+R2电阻1个即可实现软开启功能。软开启：即电源缓慢开启，限制电源启动时的浪涌电流。 若：无软开启电源电压上升会较陡峭。

MOS场效应管电学特性 1.MOS场效应管三层结构：金属层+绝缘层+半导体基板，金属层用多晶硅代替金属作为栅极材料，绝缘层二氧化硅。 2.MOS场效应管对称，施加电压即可确定栅极+源极+漏极，NFS时，导电通过电子，电子源”定义为源能级，低压侧源极，高压侧漏极。 3.在沟道中电荷量分布不均匀，离源极近的有高电荷量，离漏极近低电荷量。 4.栅极电压 > 源极电压V_TH，沟道中积累电荷足够，若源极和漏极间有电压差，电荷即流动，在电压驱动下形成电流。

英飞凌 Infineon推出业界最高密度QML-V认证QDR-II+SRAM，简化系统卫星图像处理 英飞凌 Infineon 今天宣布推出下一代144 Mb四数据速率II+（QDR）®-II+）SRAM，通过DLA合格制造商列表V级（QML-V）认证。QML-V是航空航天级集成电路的最高质量和可靠性标准认证。这种抗辐射（rad-hard）144mbqdr-II+SRAM是一种独特的高速外部高速缓存，非常适合雷达、机载数据处理和空间网络应用。