在源极输出电路中进行多种振荡现象，源极输出电路的输入阻抗实数为负、虚数为0频率下振荡 ，功率MOS场效应管源极输出电路，此解决方案缺点： 会让MOS场效应管的频率特性恶化 在设计中必须保持相对于异常振荡的 稳定性与特性的平衡，同时加入栅极电阻。 在D系列时漏极为外壳，因此散热板与外壳之间几乎没有电容， 可减少公式 中的CL，并且提高相对于异常振荡的稳定性。

MOS场效应管降低基本电路通态电阻解决方案 让Q2的栅极电位进行，正方向电平移位 降低通态电阻或者饱和电压， 如下图所示此电路也与基本电路相同 等效的漏极/源极击穿电压值约 使用单个场效效应管时的2倍

MOS场效应管内部二极管用作马达控制基本电路及工作波形，当功率MOS场效应管的内部二极管用作马达控制电路中的整流二极管，强制性通入电流，并随后外加反向电压 时，该二极管可能会因电路和工作条件发生损坏。

功率MOS场效应管的Ｄ系列、 S系列，在源极与漏极之间等效地内置二极管。 该二极管的正向 电流和击穿电压额定值具有与功率MOS场效应管的电流和电压额定值相同的性能。各品种二极管与快速恢复二极管进行了比较。 可看出，此二极管具有与普通二极管相当的特性， 并且在用于马达驱动等的桥式电路和PWM放大器的输出时，不用外置整流二极管，从而能够减少元件数。

对策内容将电阻与二极管并联插入功率MOS场效应管的栅极会延迟导通时间。由此来控制内部二极管的di/dtdv/dt，并减小恢复电流(此时，即使不延迟切断时间也可以)。对策内容将各个L与二极管并联插入功率MOS场效应管的漏极，可控制di/dt，并能减小回复电流irr。

MOS场效应管开关特性中gm漏极电压依存性和等效电路，VGS > VDS，Cgd为漏极电极正下方的氧化 膜电容Cgd0。 VGSVDS(sat)的范围内处于饱和区域 VDS(sat)

时间：2023/2/22键词：MOS场效应管

在开关稳压器等功率开关的用途中，开关MOS场效应管的负载多为感应性负载，所在要考虑反向偏压 ASO 。 在开关电源等，为了缩短 tstg和 tf，对发射极/基极结进行强制性 反向偏置，此时产生IB的反向电流，但是该电流越大tstg和tf就越小。 反向偏压ASO也变小，从而限制了工 作区域

MOS场效应管将绝对最大额定值项目的耐压VDSS、漏极电流ID和沟道损耗容限Pch，分别规定为独立的项目。MOS场效应管漏极/源极耐压VDSS  该项表示在栅极/源极之间短路时，可外加到漏极/源极之间的最大电压。

在设计电路尺寸时，如何获得Vth与unCox值，需要用到萨支唐公式 model工艺，直接找到PMOS和NMOS的Vth0，u0和tox 可如以下公式由tox计算得出Cox，利用说明书上的model数据估算， 下面是allen书上的0.8um Nwell CMOS工艺 PMOS场效应管和NMOS场效应管的Vt大约为0.7V unCox=110 upCox=50

功率 MOS场效应管具有优秀的高速 / 高频等显著特性，应用于可发挥其特长的高速开关稳压器和大输出广播发 射机等。 固有MOS场效应管截止频率通过相互电导与输入电容的比来定义，普通的MOS FET也可以达到数GHz。在实际的器件中，截止频率受到栅极寄生电阻和输入电容的限制