应用重型运输车辆和其他数兆瓦级应用的SiC MOS场效应管时

要考虑单元电池模块化解决方案。

 

单元电池中用：硅IGBT，一般在1200V到1700V。

在单元电池级用1700V SiC MOSFET

主要作用：提高功率处理能力和电气性能

1700V SiC MOS场效应管的开关损耗很低，开关频率可增加，单元电池大小可缩小

1700V的高阻断电压，可减少达到相同直流链路电压所需的单元电池数量，系统可靠性提高，成本下降。

 

SiC MOS场效应管的固有体二极管的稳健性。

 

在施加应力前后的漏-源极导通状态电阻（RDSon）测试中

元件应变化不大。

因此可确保它们在经过数小时的恒定正向电流应力后，不会降级。

 

原因：元件会传导反向电流，在开关周期后对所有剩余能量进行换向。

元件因供应商不同，存在差异，必须仔细检查SiC MOSFET测试结果。

 

很多元件表现某种程度降级，或可能不稳定。

若：选不会降级SiC MOS场效应管，无需外部反并联二极管，节省电源模块的空间和成本。

 

可能存在不一致性体二极管性能

解决方案：用可配置数字栅极驱动器调整SiC MOSFET的导通参数

 

这些驱动器可用于减轻SiC MOS场效应管更快开关速度的次级效应

包括：噪声和电磁干扰（EMI），和由寄生电感和过热引起的有限短路耐受时间和过压。