优势：结构简单

缺点：MOS存在直通可能RG发热严重

优势：优化IGBT的开关特性

缺点：MOS存在直通可能

 

优势：优化IGBT开关特性

缺点：MOS不存在直通可能结构较为复杂

此种电路结构将开通和关断电阻分开设置，会限制驱动级MOS开关期间产生的VGE(on)到VGE(off)的直通电流，它可以分别针对，开通时过电流，关断时的过电压，短路特性，进行优化。