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  • 电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案-MOS场效应管知识-竟业电子

       时间:2022/11/3       阅读:1194    关键词:MOS场效应管

     

    电源开关中采用PMOS场效应管

    会出现有问题:

    POWER_RESET=高,Q4Q2导通,电源接通;

    POWER_RESET=低,Q4Q2不导通,电源不通。

    电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案

     

    PCB板焊上元件,通电,电路异常

    如:POWER_RESET变高

    如上图电路中

    电源3V3突然接通DCDC_3V3被拉下。

    DCDC_3V3=前级电源

     

    示波器测量如下:

    电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案

     

    造成这样的原因

    1.开关开启速度太快,瞬间导通后级3V3电源会接很多滤波电容总电容量很大

    2.电源突然接通需对电容充电,电容量大,导致开始需很大电流前级来不及提供,导致电源被拉下。

     

    解决方案

    改善电路如下图

    电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案

    首先要让元器件导通时间变缓

    C169可让Q4变缓

    C168R171可让Q3变缓

     

    Q4导通前Q3Vgs=0

    Q4不导通导通Q3GS上有电容,电容两端电压不能突变,Q3G极不会马上被拉低,需要通过R171对电容C168C167充电.

     

    充电过程

    G极电压变低过程,Vgs慢慢变化,Q3也慢慢导通,C167C168R171的值决定开启速度

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