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时间:2022/10/12 阅读:716 关键词:MOS场效应管
MOS场效应管DM脉冲漏极电流
作用:反应元件可处理脉冲电流的高低
脉冲电流:高于连续的直流电流。
定义IDM目的:线的欧姆区。
一定栅源电压下,MOS场效应管导通后,有最大漏极电流。
如图所示
栅源电压定值,若工作点在线性区域内,漏极电流上升,漏源电压上升,导通损耗上升。
在大功率时,工作长时间,元件会失效。
解决方案:在典型栅极驱动电压下,额定IDM设定在区域之下。
区域分界点在Vgs和曲线相交点。
电流密度需设上限,避免芯片温度太高烧毁。
即也是避免高电流流经封装引线
原因:在有些时候,最薄弱的连接是在封装引线。
IDM受因热效应
温度上升还是下降受以下因素影响
脉冲宽度
脉冲间时间间隔
散热
RDS(on)
脉冲电流的波形和幅度