设计应用 电子元器件百科 设计工具 Datasheet(PDF)下载
  • 请关注微信众公号
    查看更多技术文章
  • MOS场效应管寄生二极管识别产生-MOS场效应管知识-竟业电子

       时间:2022/9/29       阅读:939    关键词:MOS场效应管

     

    MOS场效应管判断寄生二极管规则:

    N沟道S极指向D

    P沟道D极指向S

    如下图所示

    MOS场效应管寄生二极管

    二极管:独特的单向导电性,可想成电子版的逆止阀。

    如何产生寄生二极管:

    生产工艺造成,大功率MOS场效应管漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。

    小功率MOS场效应管

    集成芯片MOS管是平面结构

    漏极方向从硅片上面源极相同方向,无此二极管。

     

    但在D极和衬底间都存在寄生二极管

    若,单个晶体管,衬底接S极,在DS间有二极管。

    若,ICNMOS衬底接最低电压,PMOS衬底接最高电压,不确定S相连,DS间不确定会有寄生二极管

     

    寄生二极管作用保护MOS

    电路中产生很大的瞬间反向电流时,二极管导出,不会击穿MOS场效应管

     

    服务热线

    0755-83212595

    电子元器件销售平台微信

    销售