因为寄生电感，驱动线路走线时要注意。

MOS场效应管结电容会与寄生电感构成LC振荡电路

 

注意：

如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极，PWM上升下降沿产生震荡非常大，可能让MOS场效应管快速发热或爆炸。

 

解决方案：

在栅极串联10欧左右的电阻

原因：可以降低LC振荡电路的Q值，快速减弱震荡。

 

MOS管栅极特性：高输入阻抗

静电与干扰是容易让MOS管误导通其中一种原因

解决方案：

MOS管G和S极间并联电阻，电阻值=10K

即可以让输入阻抗降低。

 

附近功率线路上的干扰耦合也要注意，它过来瞬间高压，有可击穿MOS场效应管

解决方案：G与S间并联TVS瞬态抑制二极管

TVS瞬态抑制二极管=18V

TVS作用：反应速度很快稳压管，以吸收瞬间干扰脉冲，因为它瞬间能承受功率100－几千瓦。