增强型N沟道FET采用共源极结构

如下图所示

共源极结构

 

 

电势：门极与源相同，漏源极间沟道电阻高，被认为关断，场效应管要正门极到源电压，导通沟道在漏源极间传导；

未完全饱和，场效应管沟道电阻变化大，致模拟信号出现问题，要在整个信号幅度范围失真低，用增强型场效应管模拟开关失去电源，并且状态不确定，传导不会很好，隔离信号也并不好；

 

场效应管的耗尽型与增强型互补

如下图所示

耗尽型结构相同

低沟道电阻，沟道被认为导通，被认为无电源，耗尽型是传导，因设计原因，线性沟道电阻，整个信号幅度范围失真低；

 

耗尽型场效应管模拟开关：控制电路，使用电荷泵产生隔离开关路径所需电压；

作用：元件接电，开关路径被启用或禁用，并且耗电；

对应用的信号隔离时间短，可用；

 

 

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