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  • 低温漂CMOS的电源抑制比及启动电路-MOS场效应管应用-竟业电子

       时间:2021/1/19       阅读:859    关键词:MOS

     

    低温漂CMOS隙基准源中的电源抑制比启动电路

    电源抑制比PSRR

    它是电路对电源电压频率变化抑制能力

    即是KPSR=从运放输入输出开环增益/电源运放输出增益

    输出电压+Vdd都影响不了带隙基准,如:工作频率提升,因电容耦合输出电压高频Vdd波动影响它的稳定性

    要提高输出电压电源抑制特性,则电路用自偏压cascode结构电流镜输出端接一对地滤波电容

     

    启动电路

    如下图所示

     

    低温漂CMOS的电源抑制比及启动电路图

     

    A部分:会有零输出的可能

    原因:放大器两端输入=0电平电路不工作,则要启动电路

    电路组成:Mp1Mp6Mn1Mn4

    原理:Mp1Mp4 反向器驱动Mn2    Mn1反向器驱动Mn3

     

    导通Mn2Mn3

    偏置电压a点和b点间接给运算放大器两个差分输入端提供,确保系统接电,不会关断输入差分对.

    若:电路正常工作关断启动电路

     

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