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时间:2021/1/5 阅读:944 关键词:MOS场效应管
硅功率二极管PN结压降1.2V,因此消耗很多能量,引起电源效率损失;
太阳能板24V电压+120W电源,为避免回流二极管产生6W功率损失(受控能量5%),
二极管散热开发冷却系统成本会非常之高;
为了节约成本,解决方案
如下图所示
Q1整流电路
V2=36V交流电源
负载:9Ω电阻RL+25 mH线圈L1
IC1=比较器
D1=二极管
R1=电阻
电源正极>漏极电压负极
IC1产生Q1栅极电压,源极=整流器正极,漏极=负极
用沿晶体管源漏方向传导电流能力;
Q1导通,其实是减小衬底与漏极间寄生二极管,减小功耗;
栅源电压=低,Q1+寄生二极管关断;
D1和R1 作用:限制IC1两输入端上电压;
如上上图负载电压和Q1 上压降
上图整流器正常工作,最大负载电流=2.65A,压降=33 mV
Q1 工作在欧姆区。
若:MOS场效应管,压降=629 mV,可得1.66W最大连续功率
如下图所示:
此解决方案应用
1.不同数量或不同类型的二极管或整流器;
2.DC/DC和DC/DC转换器;
3.MOS场效应管应用于桥电路时,可传导有功电流+无功电流,避免MOS场效应管中衬底漏极寄生二极管的应用;