功率和尺寸是移动工人的关键。英飞凌infineon的氮化镓和硅半导体是提高功率密度和减少损耗的完美匹配。移动工人很欣赏这一优势，同时也有机会减少二氧化碳足迹。

英飞凌infineon的TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新的微图案沟槽技术，提供卓越的控制和性能，显著降低了损耗，提高了效率和更高的功率密度。因此，该设备非常适合各种应用，如串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用以及传统应用，如工业UPS和焊接。

2023年8月台积电，罗伯特博世，英飞凌，恩智浦，宣布计划共同投资位于德国德累斯顿的欧洲半导体制造公司ESMC，以提供先进的半导体制造服务。 ESMC标志着建设300毫米晶圆厂迈出了重要一步，以满足快速增长的汽车和工业部门未来的产能需求，最终投资决定尚待确认该项目的公共资金水平。该项目是在《欧洲芯片法案》的框架下规划的。

英飞凌Infineon推出新型汽车60 V和120 V OptiMOS™ 5英寸TOLx封装，适用于24 V-72 V供电的高功率ECU 交通系统的电气化正在持续推进。除了乘用车，两轮车和三轮车以及轻型车也越来越多地实现电气化。因此，由24V至72V供电的电子控制单元（ECU）的汽车市场预计在未来几年将继续增长。

英飞凌infineonn推出了TLE988x和TLE989x系列。这些集成了栅极驱动器、微控制器、通信接口和电源的片上系统解决方案适用于汽车有刷直流和无刷直流电机控制应用。

英飞凌infineonXENSIV™ 60 GHz雷达传感器BGT60UTR11AIP是市场上最小的封装天线，非常适合医疗保健设备、消费电子产品和工业应用中的重要传感。

借助DDPAK封装，英飞凌infineon科技推出了首款顶侧冷却表面安装器件（SMD）封装，用于PC电源、太阳能、服务器和电信等高功率SMPS应用。现有高压技术的优势,600V CoolMOS™ G7超级结（SJ）MOSFET、CFD7、S7和CoolSiC™ 肖特基二极管650V G6与顶侧冷却的创新概念相结合，为PFC等大电流硬开关拓扑提供了系统解决方案，为LLC拓扑提供了高端效率解决方案。

基于英飞凌infineon新的微图案沟槽技术，与采用IGBT4芯片组的模块相比，采用1200 V TRENCHTOP IGBT7芯片的62mm模块系列具有显著更低的静态损耗。这导致应用中的损耗显著降低，尤其是在通常以中等开关频率工作的工业驱动器中。

英飞凌infineon Power PROFET™ + 12V允许新的安装位置和新的外壳选项，从而实现下一代高效的分散式电源架构。有两种变体可供选择：导通电阻（R DS（on））为0.6 mΩ的BTS50005-1LUA和导通电阻为1.0 mΩ的BTS50010-1LUA，以实现最低的功率损耗。它们被设计用于控制高电流应用，特别是在高温驾驶室和发动机舱环境中，如加热器、泵和风扇中的高涌入电流。他们提供了超过1000000

英飞凌Infineon和Teledyne e2v合作，利用Teledyne e2v QLS1046太空边缘计算模块和英飞凌Infineon的辐射硬化NOR闪存，为强大的太空系统创建了参考设计。这种设计解决了重量和通信方面的限制。