英飞凌Infineon扩展了具有嵌入式ECC的辐射硬化异步静态RAM系列，用于太空和其他极端环境应用

卫星中的边缘计算和推理实现了近乎实时的数据分析和决策。随着连接设备的数量及其生成的数据量的不断增长，这一点变得越来越重要。为了满足太空应用中的这些高性能计算要求，英飞凌Infineon旗下的英飞凌内存解决方案公司今天宣布推出其最新的辐射硬化（rad-hard）异步静态RAM，该RAM采用英飞凌的专利RADSTOP™设计技术这些新产品设计用于太空和其他恶劣环境应用，在这些应用中，高可靠性和性能至关重要。

高性能空间计算中的数据缓冲需要比MCU或FPGA的片上存储器所能提供的更多的存储器。存储器必须为实时处理应用提供更高级别的性能，并具有卓越的辐射性能，以满足恶劣环境中的任务要求。Infineon的新rad硬盘SRAM有8、16和32位宽配置，并提供用于单位纠错的嵌入式纠错码（ECC）。这种先进的技术使ECC逻辑能够在读取周期期间检测并校正任何读取数据字中的单比特错误。

英飞凌Infineon公司副总裁兼航空航天与国防研究员Helmut Puchner博士表示：“辐射效应会导致SRAM中不可避免的位错误，使用系统级ECC会增加设计复杂性和延迟。”。“英飞凌的RADSTOP异步SRAM存储器提供了一种超可靠的单芯片解决方案，解决了这些问题，并满足航天工业的辐射性能要求。”

英飞凌Infineon最先进的RADSTOP技术是通过专有设计和工艺硬化技术实现的，可满足极端环境的所有辐射要求。新的rad硬存储器经过QML-V认证，确保了极端环境的可靠性和生命周期要求。这些设备的访问时间最短可达10 ns，是可用的最快选项。它们还为最高密度和最低静态电流提供了最小的占地面积。RADSTOP内存解决方案扩展了整个系统的计算极限，同时提供了更大的设计灵活性的尺寸、重量和功率优势。

英飞凌Infineon的新型异步SRAM具有8、16和32位宽配置，经过QML-V认证，确保了极端环境的可靠性和生命周期要求。这些设备的访问时间最短可达10 ns，是可用的最快选项。它们还为最高密度和最低静态电流提供了最小的占地面积。获得专利的RADSTOP™ 技术存储器解决方案扩展了整个系统的计算极限，同时提供了更大的设计灵活性的尺寸、重量和功率优势。