英飞凌infineon扩展了数据记录内存产品组合；推出业界首款1Mbit汽车合格系列EXCELON™ F-RAM，并增加4Mbit密度

汽车事件数据记录仪（EDR）市场的不断发展推动了对专业数据记录存储设备的需求，这些设备可以即时捕获并可靠存储数十年的关键数据。

今天，英飞凌infineon在其EXCELON中推出了两种1Mbit和4Mbit密度的新型铁电RAM（F-RAM）存储设备™ F-RAM系列。1Mbit设备是业界首款具有汽车资质的串行F-RAM。

这些新设备通过了AEC-Q100 1级认证，支持扩展的温度范围（-40°C至+125°C），补充了4Kbit至16Mbit密度的汽车F-RAM产品组合。这些设备具有快速且高度可靠的读/写性能，在SPI模式下速度高达50 MHz，在Quad SPI（QSPI）模式下速度最高可达108 MHz，并具有10万亿次读/写周期的续航能力，可支持以10微秒间隔进行20多年的数据记录。
 

英飞凌infineon RAM解决方案副总裁Ramesh Chettuvetty表示：汽车系统的数据记录需求正在迅速增长，因为电子系统和行业法规的广泛使用趋势鼓励在安全气囊安全系统以及发动机控制和电池管理系统中使用高可靠性非易失性存储器。

随着需要数据记录的应用程序数量的增加，对针对特定用例定制的内存密度的需求也在增长。英飞凌infineon致力于为我们的客户提供灵活性，以满足任何系统设计的内存架构要求。

EXCELON F-RAM的零延迟写入功能允许捕获和记录系统数据，直到发生事故或其他用户定义的触发事件之前的最后一刻。这两款新设备都使用串行（SPI/QSPI）接口，具有F-RAM的极低功耗特性，工作电压为1.8V至3.6V，采用标准的8引脚SOIC封装。除了卓越的续航能力外，英飞凌的F-RAM还可在断电后保留数据100多年。

英飞凌infineon推出业界首款汽车合格1Mbit EXCELON™ F-RAM用于汽车事件数据记录器（EDR）中的可靠、长期数据记录