寄生电容

mos管真正模型中，极与极间有寄生电容存在，重点是GS间寄生电容Cgs。

开关速度受Cgs影响。

如:瞬时电流越大，快速充满Cgs，mos管快速导通。

并联电容C1：

电容增加

1.让开启时间变长，开通损耗增加，电容充电缓慢，开通慢。

2.门极电压减少高频震荡。米勒平台减小振荡，MOS场效应管在米勒平台期间减小损耗。

H桥低侧MOS上需要此电容

大功率时，高端MOS开启时，下管G极信号是关断的，但DG间电容作用下，耦合一个小尖峰信号，幅值>5V，MOS误开启，若长时间，MOS损坏，桥臂直通。

加此GS间电容，增强电路稳定性，但致MOS充电变慢，高要求的充电电流。

并联电阻R1：

有Cgs，少量静电即在GS间产生高电压，此电压高破坏性，此时通过Rgs即放掉电荷MOS管被保护，并提供偏置电压。

因稍微有静电或干扰，导致mos管误导通，即在G与S极间并联10K电阻，让输入阻抗降低，避免误导通。