英飞凌infineon推出CoolGaN™ 适用于30至500 W功率范围的IPS系列

英飞凌infineon基于宽带隙（WBG）材料氮化镓（GaN）的电源开关实现了卓越的效率和高开关频率，开启了电力电子的新纪元。为了支持这一发展，英飞凌infineon添加了新的CoolGaN™ IPS系列集成电 源阶段（IPS）产品，以其广泛的组合WBG电源设备。最初的IPS产品组合包括半桥和单通道产品，针对低至中功率应用，包括充电器和适配器以及开关电源（SMPS）。

英飞凌infineon 600 V CoolGaN半桥IPS IGI60F1414A1L非常适合中低功率范围内的紧凑型和轻型设计。它采用热增强型8x8 QFN-28封装，使系统具有非常高的功率密度。该产品结合了两个140米Ω / 600 V CoolGaN e型HEMT开关，配备英飞凌infineon EiceDRIVER™的专用电隔离高低压侧栅极驱动器家庭。

IGI60F1414A1L易于控制，因为隔离门驱动器具有两个数字PWM输入。集成的隔离功能、数字和电源接地的干净分离以及降低PCB布局的复杂性对于缩短开发时间、降低系统材料清单和降低总成本至关重要。门驱动器的输入到输出隔离基于英飞凌经验证的片上无芯变压器（CT）技术。这保证了高速和出色的鲁棒性，即使对于电压斜率超过150 V/ns的极快开关瞬态。

IGI60F1414A1L的开关特性可以很容易地适应不同应用的需要，通过一些无源门电路元件。这允许转换率优化，例如，减少电磁干扰（EMI）的努力，稳态栅极电流设置，以及在硬开关应用中稳健运行的负栅极驱动。

此外，由于系统在封装集成和门驱动器的高精度和稳定的传播延迟，IGI60F1414A1L使尽可能低的系统死区时间。这有助于最大限度地提高系统效率，将功率密度提高到35 W/in³ 充电器和适配器解决方案。灵活、简单和快速的设计也适用于其他应用，包括LLC谐振拓扑和电机驱动。