英飞凌继续扩大其综合碳化硅（SiC）产品组合，推出650伏设备。新推出的CoolSiC™ 英飞凌MOS管场效应管正在广泛的应用中满足对能源效率、功率密度和稳健性不断增长的需求。其中包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、储能和电池组、UPS、电机驱动以及电动汽车充电。

英飞凌在600 V/650 V电源领域补充了其广泛的硅、碳化硅和氮化镓功率半导体产品组合，英飞凌唯一一家为所有三种电力技术提供如此广泛产品的制造商。

此外，新的CoolSiC系列支持我们作为工业用SiC MOSFET开关的头号供应商的主张。

CoolSiC MOS管场效应管 650v器件的额定电压从27mΩ到107mΩ。它们有经典的TO-247 3-pin和TO-247 4-pin封装，这允许更低的开关损耗。至于之前推出的所有CoolSiC MOS管场效应管产品，新的650v器件系列基于英飞凌最先进的沟道半导体技术。

最大限度地发挥碳化硅的强物理特性，这确保了器件提供优越的可靠性，最佳的开关和传导损耗。此外，它们具有最高的跨导水平（增益），阈值电压（V th）为4v和短路稳健性。因此，沟槽技术允许应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性，而不会有任何妥协。

与市场上其他硅和碳化硅解决方案相比，650v CoolSiC MOS管场效应管具有诱人的优势，例如更高频率的开关效率和卓越的可靠性。

由于极低的状态电阻（R DS（on））对温度的依赖性，它们具有优异的热性能。这种器件具有坚固稳定的体二极管，保持极低的反向恢复电荷（Q rr），与最好的超结CoolMOS相比大约减少80%™ MOS管场效应管。

换相鲁棒性有助于实现98%的整体系统效率，例如通过使用连续传导模式图腾极功率因数校正（PFC）。

为了简化使用CoolSiC MOSFETs 650v的应用程序设计，并确保设备的高性能运行，英飞凌提供专用的1通道和2通道电隔离二十面体™ 门驱动器集成电路。

此解决方案结合了CoolSiC交换机和专用门驱动器IC，有助于降低系统成本和总体拥有成本，并提高能效。

CoolSiC mosfet还与英飞凌二十面体栅极驱动器家族的其他集成电路无缝工作。