英飞凌在超连接技术创新和20多年经验的基础上，扩大了其CoolMOS™ 与PFD7产品系列相结合的产品组合将一流的性能与最先进的易用性结合起来。该设备适用于超高功率密度设计，如充电器和适配器，以及低功率驱动器和特定照明应用。

稳健性和可靠性的提高、效率的提高、开关损耗的最小化和热性能的改善使该产品系列成为当代工程设计的最终选择。CoolMOS PFD7系列支持小型和轻型移动产品的主要趋势以及主要家用电器的节能，推动了可负担的超高功率密度的限制。这些器件经过优化以获得高效率，特别是在轻负载条件下，仍然能够满足EMI要求。

这些开关提供了最佳的性能指标R DS（on）x Q RR。集成的快体二极管实现了优异的换相坚固性。实现的齐纳二极管支持静电放电（ESD）保护高达2千伏。英飞凌提供从125 mΩ到2000 mΩ的各种R DS（开）值。广泛的产品组合使您可以轻松地选择合适的部件进行设计微调，以提高客户的便利性。