当单片开关电源内部的MOS场效应管导通，输出整流管VD7a截止，VD7b导通，由储存在C14、C15上的电能继续给负载供电，此时L4对高频开关电流呈高阻抗。 当MOS场效应管关断时，VD7a经过一段延迟时间导通。

晶体管的操作条件是零输入栅极电压（VIN）、零漏极电流ID和输出电压VDS＝VDD。因此，对于增强型MOS场效应管，导电沟道是闭合的，并且器件被切换为“OFF”。

优势：优化IGBT开关特性 缺点：MOS不存在直通可能结构较为复杂 此种电路结构将开通和关断电阻分开设置，会限制驱动级MOS开关期间产生的VGE(on)到VGE(off)的直通电流，它可以分别针对，开通时过电流，关断时的过电压，短路特性，进行优化。

N沟道耗尽型场效应管的结构和符号 它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。 当UGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。 当UGS>0时，将使ID进一步增加。 当UGS<0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。

MOS场效应管内部：由多个单元即小MOSFET并联组成，在显微下，AOT460内部构图 内部栅极等效模型b MOSFET结构决定栅极电路为RC网络。 MOS场效应管关断过程中 栅极电压VGS下降 从等效模型得出 晶元边缘的单元，先达到栅极关断电压VTH而先关断。 中间的单元，因RC网络的延迟，滞后达到栅极关断电压VTH而后关断。 MOS场效应管加负载=感性负载 因电感电流不能突变，导致流过MOSFET的电流向晶元的中间流动，

单元电池中用：硅IGBT，一般在1200V到1700V。 在单元电池级用1700V SiC MOSFET 主要作用：提高功率处理能力和电气性能 1700V SiC MOS场效应管的开关损耗很低，开关频率可增加，单元电池大小可缩小 1700V的高阻断电压，可减少达到相同直流链路电压所需的单元电池数量，系统可靠性提高，成本下降。

MOS场效应管雪崩极限值是产品处理瞬时过压能力的指示。 如果电压超过漏源极限电压，将导致器件处在雪崩状态。 这个强度是根据背板温度为25 C ˚ 时漏极接不钳位电感，器件非重复关断所能承受的能量来定义的。这个能量水平在背板温度越高时越小

Cox理论计算 在电路设计零极点计算中，先要对MOS场效应管的栅电容进行理论估算 栅电容 Cgg=CoxWL W和L值查看元件参数表 计算Cox 概念： 介电常数： 它是表示绝缘能力特性的一个系数，符号为ε，单位为F/m（法/米） 相对介电常数：

电路由三极管+电阻+稳压管组成，进一步放大信号。 驱动MOS场效应管的栅极，利用场效应管本身的栅极电容(大约1000pF)进行延时 避免H桥上下两臂的场效应管，同时导通即共态导通，造成电源短路。

影响MOS场效应管开关性能的主要参数，以上电容它们在元器件中所产生的开关损耗 会影响到每一次开与关时，对它们的充电情况 也影响到MOS场效应管开关速度，可能会被降低，或是元器件的效率也同样降低