什么是绝缘栅型场效应管 全称：Insulated Gate Field Effect Transister，IGFET，也称金属氧化物半导体场效应管，Metal Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET即MOS管。 绝缘栅型场效应管分类 类型：P沟道MOS+N沟道MOS+VMOS; VMOS即功率场效应管，V型槽MOS场效应管，英文全称V-groove metal-oxide semiconductor； 绝缘栅型场效应管结构 一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N+区，在两N+区间硅表面上制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在SiO2和两个N型区表面上引出三个电极：源极s+栅极g+漏极d；

如何判断N沟道MOS管和P沟道MOS管 用万用表黑笔（或红笔）接一电极，另一笔依次接另两极， 电阻值相近或相等，则黑笔（或红笔）一端为栅极，另两端则：漏极和源极； ​​​​​​​ 1.电阻值两次测得都很大，则PN结反向，即反向电阻，可判定是：N沟道MOS管，黑笔接是栅极； 2.电阻值两次测得都很小，则正向PN结，即正向电阻，可判定是：P沟道场MOS管，黑笔接是栅极;

MOS管 1.用手同时触摸MOS管G极和电源正极： 效果：LED灯发光，手松开灯继续亮； 原理：G极电位升高，D极与S极间形成导电沟道，沟道=导线，即线路导通； 导通D极与S极间压降万用表测量：压降=0 V 2.用手同时触摸G极与电源负极： LED灯熄灭； 原理：沟道夹断，与导通相反；

更换600V CoolMOS™ C3是CoolMOS™ P7 600伏CoolMOS™ C3是英飞凌的第三个CoolMOS系列™ 2001年进入市场。C3是投资组合的“主力军”。 英飞凌MOS管场效应管SPA20N60C3功能概述 1.低比导通状态电阻（RDS（on）*A） 2.400V时输出电容（Eoss）的储能非常低 3.低栅电荷（Qg） 4.现场验证的CoolMOS™ 质量 5.CoolMOS公司™ 英飞凌自1998年开始制造这项技术

在电源电路设计中，MOS管G极会串联一个小电阻，如下图标红所示G极串联电阻R13； R13作用：限制G极电流+抑制振荡。MOS管是电压驱动，G级电流很小，由于有寄生电容，MOS管开或关时，对电容进行充电，瞬间电流大。如MOS管FDS2582   Ciss=1290pF 若：Vgs=10V  dt=Tr(上升时间)=20ns   G极开关时瞬间电流 I=Ciss*dVgs/dt =0.6A G极串联一个电阻: 与Ciss形成RC充放电电路，减小瞬间电流值，以保证MOS管驱动芯片不会被损坏。

晶体管与场效应管优劣 1.只允许从信号源取较少电流时，选择场效应管; 2.信号电压较低+允许从信号源取较多电流时，选择晶体管； 3.场效应管：是单极型器件，利用多数载流子导电； 4.晶体管：是双极型器件，有多数载流子+也利用少数载流子导电； 5.场效应管灵活性 > 晶体管灵活性：场效应管源极与漏极可互换，栅压可正可负； 6.场效应管：在很小电流和很低电压时工作，制造工艺可多个集成在一块硅片上； 7.场效应管：高输入阻抗+低噪声，可应用：

场效应管MOS管是电压驱动电子元器件，要完全导通，要栅极驱动电压幅度够大，低压IC电路输出幅度较小，直接用来驱动场效应管MOS管，否则无法完全导通。 因此增加一级双极型三极管驱动电路来驱动场效应管MOS管。

测电阻法测场效应管MOS管好坏 用万用表置于R×10或R×100档，测S-D间电阻: 电阻值 > 正常电阻值（一般几十欧到几千欧范围），可能内部接触不良; 测得电阻值无穷大：可能内部断极； 用万用表置于R×10k档，测栅极G1-G2间，栅极-源极，栅极-漏极它们间电阻值： 此电阻值均为无穷大，则MOS管正常； 此电阻值小或通路，则MOS管已坏； 注：如两栅极在管内断极，可用其它电子元器件代替测试；

场效应管MOS管区别 场效应管分：结型场效应管JFET + 绝缘栅场效应管MOS管 即MOS管是场效应管其中一种小分类； 结型场效应管（JFET） JFET全称：Junction Field-Effect Transistor 分类：N沟道结型场效应管 + P沟道结型场效应管 三极：栅极+漏极+源极 电路符号：栅极箭头方向，即为两个PN结正向导电方向 工作原理：通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流控制

结合高能效和易用性的优化超结mosfet 600V CoolMOS™ P7超结MOSFET是600V CoolMOS™的后继产品 P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。最佳的R onxA和CoolMOS™固有的低栅电荷（Q G） 第七代平台保证了其高效率。 英飞凌infinneon IPD60R180P7S 功能特征概要 1.600V P7支持出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G 2.静电放电强度≥2kV（HBM 2级） 3.集成栅极电阻器 4.坚固的体二极管 5.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合 6.提供标准级和工业级零件