英飞凌MOS管场效应管IRF100B201应用 1.刷电机驱动应用 2.无刷直流电机驱动应用 3.电池供电电路 4.半桥和全桥拓扑 5.同步整流器应用 6.共振模式电源 7.或ing和冗余电源开关 8.DC/DC和AC/DC转换器 9.直流/交流逆变器 英飞凌MOS管场效应管IRF100B201优势 1.改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性 2.完全特征化的电容和雪崩SOA 3.增强体二极管dV/dt和dI/dt能力 4.无铅、符合RoHS、无卤素

MOS管场效应管与三极管作为开关应用： 1.考虑成本(价格)：MOS管场效应管 （贵）> 三极管  2.驱动能力（应用）： MOS管场效应管应用：电源开关，高频高速电路，大电流开关电路，基极或漏极控制电流比较敏感处； 三极管应用：数字电路开关控制； 3.功耗：MOS管场效应管 < 三极管 (损耗大) 4.功能性质：MOS管场效应管电压控制，三极管电流控制；

结合高能效和易用性的优化超结MOS管 600V CoolMOS™ P7超结MOS管是600V CoolMOS的后继产品™ P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。最佳的R onxA和CoolMOS固有的低栅电荷（Q G）™ 第七代平台保证了其高效率。 英飞凌MOS管场效应管IPW60R060P7功能特征概要 效率 •600V P7支持出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G 英飞凌MOS管场效应管IPW60R060P7易用性 1.静电放电强度≥2kV（HBM 2级） 2.集成栅极电阻器 3.坚固的体二极管 4.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合 5.提供标准级和工业级零件

英飞凌MOS管场效应管IPT015N10N5功能特征概要 1.针对同步整流进行优化 2.适用于高开关频率 3.输出电容降低高达44% 4.研发投入比上一代产品减少43% 英飞凌MOS管场效应管IPT015N10N5优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.需要较少的并联 4.功率密度增加 5.低压超调

电源IC直接驱动MOS管场效应管 图1 注意事项： 1.注意电源IC手册中的最大驱动峰值电流 2.在选择驱动电阻阻值时，必须关注MOS管场效应管寄生电容大小，MOS管场效应管导通时，电源IC的驱动峰值电流及MOS管场效应管导通速度，驱动能力,上升沿高频振荡,MOS管场效应管开关速度等 电源IC驱动能力不足时 电源IC内部驱动能不足时，但 MOS管寄生电容较大，这时就要增加驱动能力： 常用方法：图腾柱电路，如下图虚框。

如何选择MOS管场效应管驱动电路呢？ 有以下几点： 1.驱动电路的结构必须简损耗小及约可靠 2.视情况施加隔离。 3.开关导通期间，驱动电路必须保证MOS管场效应管栅极与源极之间电压保持稳定且可靠导通。 4.关断瞬间驱动电路时，为了能让开关管快速关断，要提供一个低阻抗通路供MOS管场效应管栅极与源极之间的电容电压快速泄放。 5.开关管开通时的瞬间，驱动电路必须提供足够大充电电流使MOS管场效应管栅极与源极之间的电压迅速上升到所需值，来保证开关管能快速，同时开通时不能有上升沿的高频振荡。

英飞凌200V OptiMOS™产品是性能领先的基准技术，非常适合48V系统中的同步整流、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动的逆变器。 英飞凌MOS管场效应管IPB107N20N3G功能特征 1.行业最低研发水平（开） 2.最低Q g和Q gd 3.世界上最低的FOM RoHS-无卤MSL 1级 英飞凌MOS管场效应管IPB107N20N3G优势 1.最高效率 2.最高功率密度 3.最低的板空间消耗 4.所需的最小设备并联 5.系统成本改进 6.环境友好型 7.易于在产品中设计

MOS管驱动电路布线设计注意事项 1.MOS管驱动线路中环路的面积设计越小越好，如果面积大，引起外来电磁的干扰； 2.为了不让走线电感影响芯片瞬间输出电流， 驱动芯片旁路电容要非常接近驱动芯片VCC，GND两个引脚；MOS管驱动波形错误示范 如下图所示，大部份时间中MOS管有处于工作在线性区，损耗很大，此波形有可能核爆。 原因：布线太长电感太大； 解决方案：重新画板，栅极电阻都不可； 如下图所示：上升下降沿震荡严重，MOS管会瞬间坏掉。

MOS管场效应管的两极，G极与S极间存在结电容，此电容在设计时必须注意。 MOS管场效应管的开关时间越短，损耗越小，在整个开关电源损耗中，开关损耗最大，因此电源的工作效率，取决于MOS管场效应管驱动电路好坏。 MOS管场效应管G极与S极门电压由0升到开启时的电压，这段时间越短，MOS管场效应管开启速度越快，反之，开启电压降至0V越短，关断速度越快，因此MOS管栅极瞬间驱动电流要有足够大。 驱动MOS管场效应管芯片比较： PWM芯片输出和三极管放大后这两种方法有很大的缺陷。 用专有MOS管驱动芯片比较好，如：TC4420，专有驱动芯片有足够的瞬间输出电流+TTL电平输入

在产品设计中，MOS管场效应管短路保护设计非常重要，MOS管场效应管短路保护解决方案有以下几种： 1.加入可恢复保险丝，缺点：成本高 2.选择单片机自带ad采集，优势：成本低；缺点：对元器件本身损害大； 3.选择直接检测单机io口的高低电平；优势：成本低；缺点：对元器件本身损害大； 在产品设计中，MOS管场效应管短路保护设计非常重要，MOS管场效应管短路保护解决方案有以下几种： 1.加入可恢复保险丝，缺点：成本高 2.选择单片机自带ad采集，优势：成本低；缺点：对元器件本身损害大； 3.选择直接检测单机io口的高低电平；优势：成本低；缺点：对元器件本身损害大；