场效应管MOS管是电压驱动电子元器件，要完全导通，要栅极驱动电压幅度够大，低压IC电路输出幅度较小，直接用来驱动场效应管MOS管，否则无法完全导通。

因此增加一级双极型三极管驱动电路来驱动场效应管MOS管。

如下图所示：

 

VT1：NPN型三极管，基极输入信号5V；

VT2：开启电压高，栅极驱动电压必须≥10V才能导通；

增加一级三极管电路：

VT1基极=5V高电平，VT1导通，VT2截止；

VT1基极 < 低电平0V，VT1截止；

当集电极10V电压，加到VT2栅极G，VT2栅极电压够大，导通；

 

 

三极管驱动场效应管MOS管时注意事项：

 

场效应管MOS管栅极所接电阻取值：

1. MOS管开关速度很低，电阻值可选上百KΩ，以此减小电路耗电;
2. 场效应管MOS管在高速开关状态时，此电阻值不可过大，否则MOS管栅源电容充放电时间长，影响开关速度；