结合高能效和易用性的优化超结mosfet

600V CoolMOS™ P7超结MOSFET是600V CoolMOS™的后继产品 P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效性和易用性的需求。最佳的R onxA和CoolMOS™固有的低栅电荷（Q G） 第七代平台保证了其高效率。

 

英飞凌infinneon IPD60R180P7S 功能特征概要

1.600V P7支持出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G

2.静电放电强度≥2kV（HBM 2级）

3.集成栅极电阻器

4.坚固的体二极管

5.在通孔和表面安装包中有广泛的产品组合

6.提供标准级和工业级零件

 

英飞凌infinneon IPD60R180P7S 优势

1.出色的FOMs R DS（on）xQ G/R DS（on）xE oss使效率更高

2.通过阻止发生ESD故障，在制造环境中易于使用

3.集成R G降低了MOSFET振荡灵敏度

4.MOSFET适用于PFC和LLC等硬开关和谐振开关拓扑

5.LLC拓扑结构中的体二极管硬换流期间具有极好的耐用性

6.适用于多种终端应用和输出功率

7.适用于消费者和工业应用的零件

 

英飞凌infinneon IPD60R180P7S 潜在应用

1.电视电源

2.工业脱脂奶粉

3.服务器

4.电信

5.照明

 

英飞凌infinneon IPD60R180P7S 参数   Datasheeet下载