1VGS对ID及沟道的控制作用  VGS=0 (a)图，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。 当栅——源电压VGS=0时，即使加上漏——源电压VDS，而且不论VDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道 此时漏极电流ID≈0  VGS>0 若VGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。 排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。

SiC MOS场效应管 的最大特点是原理上不会产生如IGBT中经常见到的尾电流。 SiC 即使在1200V 以上的耐压值时也可以采用快速的MOS场效应管结构，所以，与IGBT 相比，Turn‐off 损耗（Eoff）可以减少约90%，有利于电路的节能和散热设备的简化、小型化。

MOS管面对电压时非常敏感，因为它是电压驱动 G极悬空，可能会受到外部干扰致使管子导通。 外部干扰信号对G极-S极结电容充电 此电荷，虽然非常的小，但是它可以储存相当长的时间。 非常的危险在G极悬空，如果在试验中要注意，可能会导致管子爆掉。 解决方案 G极接下拉电阻，即栅极电阻。 作用：旁路干扰信号不直通 此电阻阻值：10~20K

全对称OCL功放电路组成：场效应管，虽然在其上产生的负反馈有类似于晶体管的射极电阻的保护作用，但对MOS功放管来说，因它的漏极电流本身具有负温度系数的特点，不接源极电阻也无多大关系。 此放大器在交流负反馈电路中没有使用电阻，而采用了电容交流负反馈电路。

若：把GS间的电压，从0拉到，管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。 若：MOS管的GS电压，从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。 因此，在更短时间内把GS电压拉高或者拉低，即要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。

直接驱动可以克服上面列出级联电路的一些缺点。 如下图所示 TI LMG3422R030直接驱动GaN产品的功能框图，该产品使用与GaN HEMT共封装的硅控制芯片。 智能栅极控制可避免Si MOS场效应管反向恢复、低电感驱动器/HEMT封装集成以及集成保护电路和电压变化率控制，从而实现更高的闭环性能。

变压器工作在非饱和方式，是通过 MOS场效应管的栅极反馈电压呈弧形变化，靠降低栅压来使MOS场效应管翻转的。 接通输入电源时，通过电阻R1和R2给VT1和VT2加上栅偏压，由于MOSFET导通时栅极电压UTH(阈值电压)的不均匀性，因此UTH低者首先导通。 假设VTI首先导通，接在变压器初级线圈两端的电容C1和初级线圈2×Np之间有LC形成的共振电流流动。 该电流给另一只MOSFET管子VT2的漏一源极之间加上共振电压。 由于此共振电压在栅极反馈线圈Nf下降，因此不久便达到0V。

一个MOS场效应管共振式直流一直流变换器电路 洛埃耶电路是通过变压器磁饱和使三极管翻转而工作 变压器工作在非饱和方式 通过 MOS场效应管的栅极反馈电压呈弧形变化，靠降低栅压来使MOS场效应管翻转的。

​数字电源驱动器和 MOS场效应管选择 在大多数多相转换器中，每个相位都设计为将峰值电流限制在 40A 左右。行业内的创新导致解决方案能够处理显着更高的峰值电流 MP86957等器件可提供高达 70A 的连续电流

MOS场效应管应用于开关和同步整流器 它可以配置为双向 如下图所示 桥式布局中MOS场效应管 用作双向功率转换器 双向电池充电器/逆变器的示意图 左右对称性明显 能量流方向由 MOS场效应管 驱动装置控制 功率因数校正级是一个典型“无桥图腾柱”类型 它在中等功率或更高交错功率水平下最佳