电阻方法检测无标识场效应管 1.找到两个引脚有电阻值，即源极Ｓ+漏极Ｄ，剩下是一栅极G+第二栅极G； 2.用表笔把源漏间测到的电阻值记录好，对调表笔再测一次并记录下电阻值，比较他们的值大小，大的电阻值的一次，黑笔挡的是漏极Ｄ，红笔源极Ｓ； 3.源极与漏极确定了位置后，再对应位置装入电路，一般G、G都会衣次对准位置，即源极，漏极，栅极都确定位置； 跨导大小检测 用反向电阻值变化检测法 如：对VMOS N沟道增强型场效应管进行检测 用红笔接源极Ｓ，黑笔接漏极Ｄ，在源与漏间加一个反向电压，栅极开路，场效应管反向电阻值不稳定； 用万用表欧姆档设置在高阻档R×0kΩ，此时表内电压高，用手触栅极Ｇ，此时场效应管反向电阻值有变化，越来越大，跨导值也越高； 若：被测场效应管跨导小，用此方法，反向阻值变化小；

场效应管基本放大电路三种组态：共源极组态+共漏极组态+共栅极组态。偏置电路：固定偏置电路+自给偏置电路+分压式偏置电路；固定偏置放大电路给场效应管提供负偏压， 偏置电压：外加电压Ugg提供 因场效应管输入电阻大，流过栅极电流=0，Rg两端电压到0；自给偏置电路 场效应管自给偏置放大电路 用结型FET和耗尽型FET UGS=0时 ID=0  在FET源极接入电阻R可在静态时得到 UGS= IDR且IG=0  RG两端电压降为0， UG=0 可得公式 UGS=UG-US=-IDR

电阻法测场效应管好坏,万用表置于Ｒ×０ｋ档，测栅极Ｇ与源极S，栅极Ｇ与漏极D间电阻值； 若：所测得电阻值=无穷大，则场效应管是好的； 若：所测得电阻值非常小或通路，则场效应管已经损坏； PS：两个栅极在管内断极，可用电子元器件代换法进行检测；测场效应管放大能力：感应信号输入法 1.万用表电阻R×00档，红笔接源极Ｓ，黑笔接漏极Ｄ，在场效应管上加电源电压， 表针指示：漏极D与源极S间电阻值，用手碰触栅极Ｇ，将人体感应电压信号加在栅极G上，因场效应管放大作用，漏源电压VDS+漏极电流Iｂ+漏源极间电阻，此三项都发生变化， 查看表针摆动幅度；

场效应管（FET）种类：结型场效应管JFET+绝缘栅场效应管MOSFET 结型场效应管JFET的符号和结构结型场效应管工作原理：利用半导体内电场效应工作； 结型场效应管JFET管脚识别检测 万用表置于R×k档，两笔分别检测每两个管脚间的正，反向电阻 若：其中两脚 正向电阻=反向电阻=数KΩ，则可互换的漏极D+源极S，第三脚为栅极G； 第四脚为屏蔽极（应用时接地）

用万用表检测VMOS场效应管三极，跨导检测 万用表置R×1k或R×100档，红笔接源极S，黑笔接漏极D，用螺丝刀碰触栅极G， 表针偏转，越大，VMOS场效应管跨导越高；源极S与漏极D检测方法 源极-漏极间有PN结，由于PN结正与反向电阻存在差异，根据此因可判断出源极和漏极； 用交换表笔法测两次电阻，电阻值较低一次为正向电阻，此时黑笔是源极S，红笔接漏极D； 

英飞凌mos场效应管IPA95R750P7功能概述 1.同类最佳FOM RDS（on）EOS；减少Qg、Ciss和Coss 2.一流的DPAK RDS（on）450 mΩ 3.最佳VG（th）为3V，最小VGS（th）变化为±0.5V 4.集成齐纳二极管ESD保护高达2级（HBM） 5.一流的质量和可靠性 英飞凌mos场效应管IPA95R750P7优势 1.与CoolMOS相比，效率增益高达1%，MOSFET温度降低2°C至10°C™ C3 2.实现更高的功率密度设计、BOM节约和更低的装配成本 3.易于驾驶和设计 4.通过减少ESD相关故障提高产量 5.减少生产问题，减少油田收益 英飞凌mos场效应管IPA95R750P7潜在应用 1.照明 2.智能电表 3.手机充电器 4.笔记本适配器 5.辅助电源 5.工业用开关电源

VMOS场效应管：全称V型槽MOS场效应管，英文名称VMOSFET，简称VMOS管； 因它在栅极与芯片间有二氧化硅绝缘层，包含在绝缘栅型MOS场效应管中。 传统MOS场效应管栅极，源极和漏极处于同一水平面芯片上，工作电流沿水平方向流动。 VMOS场效应管并不是，如下图所示： 结构特点： 1.垂直导电性金； 2.属栅极采用V型槽结构； 漏极从芯片背面引出，ID不沿芯片水平流动，自重掺杂N+区（源极S）出发，经P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下达漏极D； 流通截面积增大，能通过大电流；

PMOS场效应管工作条件： 在栅上相对于源极加负电压，或是在PMOS场效应管栅上加负电压，在衬底感应是可运动正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层， 衬底中感应正电荷数量=PMOS场效应管栅上负电荷的数量 PS:不考虑二氧化硅中存在的电荷影响， 达到强反型，在相对于源端为负的漏源电压作用下，源端正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源极到漏极的源极漏极电流。 同时VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流数值越大。

Q0作用：检测芯片工作温度；  芯片正常工作： 三极管反射极电位VE ,比较器 负端电位 > 正端电位 比较器输出低电平; 温度升高: 因：三极管EB结电压是负温度系数 三极管发射极到基极电压VEB降低 因：基极电位是基准电压VREFl 三极管的发射极电压即比较器的负端电位降低; 温度 > 翻转阈值 比较器负端电位会降到 < 正端电位VREF2， 比较器输出高电平，关断功率开关电子元器件，保护芯片被烧毁； 迟滞产生电路作用： 芯片正常工作+过温产生大小不同电流，比较器翻转阈值改变， 防止功率开关器件在翻转点频繁开启和关断。 cmos场效应管过温保护实际电路如下图所示： 管芯温度 > 160℃ 电路输出控制信号OUTPUT，输出为高电平 温度=140℃ 电路输出控制信号OUTPUT，转为低电平

Mos场效应管恒流电路又叫又电流反射镜电路； 组成：信号源+电压控制电流源VCCS； 技术：DDS技术正弦信号源采用直接数字频率合成， 以一定频率连续从EPROM中读取正弦采样数据，经D/A转换并滤波后产生EIT所需正弦信号。Mos场效应管恒流源电路 组成：三极管（两同型号）+两个电阻此三极管特点： 1.Vbe电压相对稳定 2.基极电流相对集电极电流较小 因此组成的恒流源的电流相对恒定 电流Io=Vbe/R1