OptiMOS™ 60V是开关电源（SMP）中同步整流的理想选择，例如服务器、台式机和平板电脑充电器。此外，这些器件还可用于广泛的工业应用，包括电机控制、太阳能微逆变器和快速开关DC-DC变换器。 英飞凌mos场效应管IPD031N06L3 G功能概述 1.出色的门极充电x R DS（on）产品（FOM） 2.极低导通电阻Rds（on） 3.适用于快速切换应用 3.符合RoHS标准-无卤素 4.MSL1额定值 优势 1.最高的系统效率 2.不需要并联 3.功率密度增加 4.降低系统成本 5.极低电压过冲 英飞凌mos场效应管IPD031N06L3 G潜在应用 1.同步整流 2.太阳能微型逆变器 3.隔离DC-DC转换器 4.12-48V系统的电机控制 5.Or-ing开关

英飞凌mos场效应管IDH06G65C6功能概述 1.最低V F:1.25V 2.最佳绩效指标（Q c x V F） 3.无逆向回收费用 4.与温度无关的开关行为 5.高dv/dt耐用性 6.优化热性能 优势 1.在所有负载条件下提高系统效率 2.提高系统功率密度 3.降低冷却需求，提高系统可靠性 4.实现极快的切换 5.与CoolMOS简单有效的匹配™ 7个家庭 6.最佳性价比 英飞凌mos场效应管IDH06G65C6潜在应用 1.服务器 2.电信 3.PC电源 4.太阳能 5.照明

OptiMOS™ 560V适用于开关模式电源（SMP）的同步整流，如服务器、台式机和平板电脑充电器。此外，这些器件是一个理想的选择，广泛的工业应用，包括电机控制，太阳能微型逆变器和快速开关直流-直流变换器 英飞凌mos场效应管IPB010N06N功能概述 1.优化同步整流 2.比替代设备低40%（开） 3.FOM比同类设备提高40% 4.符合RoHS标准-无卤素 5.MSL1额定值 优势 1.最高的系统效率 2.不需要并联 3.功率密度增加 4.降低系统成本 5.极低电压过冲 英飞凌mos场效应管IPB010N06N潜在应用 1.同步整流 2.太阳能微型逆变器 3.隔离DC-DC转换器 4.12-48V系统的电机控制 5.Or-ing 开关

无铅TO-220AB封装的40V单N沟HEXFET功率MOSFET,英飞凌mos场效应管IRFB7430优势 1.改进的门、雪崩和动态dV/dt 2.坚固性 3.全特性电容和雪崩 4.SOA 5.增强体二极管dV/dt和dI/dt性能 6.无铅 7.符合RoHS，无卤素*,应用 1.刷电机驱动应用 2.无刷直流电机驱动应用 3.电池供电电路 4.半桥和全桥拓扑 5.同步整流器应用 6.谐振模式电源 7.或冗余电源开关 8.DC/DC和AC/DC转换器 9.直流/交流逆变器

OptiMOS™是发电（如太阳能微型逆变器）、电源（如服务器和电信）和功耗（如电动汽车）的高效解决方案的市场领导者。 英飞凌mos场效应管IPD135N08N3G功能特征概述 1.DC-DC转换器的优化技术 2.出色的门极充电x R DS（ON）产品（FOM） 3.卓越的耐热性 4.双面冷却 5.低寄生电感 6.低轮廓（<0,7mm） 7.N通道，正常电平 8.100%雪崩测试 9.无铅电镀；符合RoHS

9大mos场效应管开关电路:隔离驱动，高端MOS管驱动+集成芯片驱动电路+正激式驱动电路+隔离变压器互补驱动电路+提供负压的互补电路及PMOS管电压选择 V8V存在，提供全部电压，PMOS关断，VBAT无法提供电压给VSIN； V8V低，供8V电给VSIN 接地R120作用：让栅极电压稳定地拉低，让PMOS正常开启 D9D10作用：防止电压倒灌，源漏两端无反接 R110作用：让R110控制栅极电流不过大 R113作用： 1.控制栅极常态，R113上拉为高截至PMOS管即对控制信号上拉； 2.MCU内部管脚没有上拉，输出开漏，无法驱动PMOS关闭，外部电压给上拉； R110=100欧姆

OptiMOS™ 快速二极管（FD）200V，250V和300V是为体二极管硬换相优化。这些设备是硬交换应用的理想选择，如电信、工业电源、D类音频放大器、电机控制和DC-AC逆变器。 英飞凌mos场效应管BSC350N20NSFD功能概述 1.提高硬换向的坚固性 2.优化硬交换行为 3.行业最低的Rds（开）、Q g和Q rr 4.符合RoHS标准-无卤素 英飞凌mos场效应管BSC350N20NSFD优势 1.最高的系统可靠性 2.降低系统成本 3.最高效率和功率密度 4.易于设计的产品

CMOS场效应管电路特点 1.CMOS场效应管电压控制器件 2.功耗很小 3.低速时工作频率低； 4.噪声容限大 5.CMOS门速度慢； 原因：CMOS电路工作速度与电路外部负载电容CL有关； 6.单极性电路，是场效应管构成； 7.逻辑电平范围大5～15V 8.高低电平间相差大，抗干扰性强

电路组成：Rc+Q+C +D1 D2 Rc=旁路电阻 Q=N 沟道绝缘栅场效应管 C=能量存储电容 D1 D2=开关二极管 TX =传感器 Rd作用：改变激发超声波幅值大小，调节激发能量。 场效应管Q栅极输入控制脉冲 Q栅极=低电位 栅极与源极间电压VDS=0，Q关断，C 通过Rc和D1充电， 时间常数决定充电时间，最大脉源极电压 最大脉源极电压=正电压，Q导通，C 存储能量→场效应管Q→D2向TX 放电，TX中激发出超声波；

英飞凌IRFB3206 mos场效应管功能概述 1.针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化 2.符合JEDEC标准的产品鉴定 3.行业标准通孔电源组件 4.高载流能力组件 60V单N沟道红外MOSFET™ 在TO-220AB包装中 红外MOSFET™ 功率mosfet系列采用成熟的硅工艺，为设计人员提供广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、开关电源、照明、负载开关以及电池供电应用。