1.mos场效应管开关电路

电路图如下所示

PMOS管电压选择

V8V存在，提供全部电压，PMOS关断，VBAT无法提供电压给VSIN；

V8V低，供8V电给VSIN

接地R120作用：让栅极电压稳定地拉低，让PMOS正常开启

D9D10作用：防止电压倒灌

 

2.mos场效应管开关电路

电路图如下所示

此电路分析如下：

源漏两端无反接

R110作用：让R110控制栅极电流不过大

R113作用：

1.控制栅极常态，R113上拉为高截至PMOS管即对控制信号上拉；

2.MCU内部管脚没有上拉，输出开漏，无法驱动PMOS关闭，外部电压给上拉；

R110=100欧姆

 

3.mos场效应管开关电路

电路图如下所示

 

电路分析如下：

Q1=P沟道MOS场效应管

Q2=三极管

电池接正电→开关S1→Q1脚2源极

脚1栅极通过电阻R20提供正电位电压，即不可接电，此时电压不能通过，3v稳压IC输入脚无法获得电压，即不能工作，不可开机；

开机SW1按下，接正电→R11→R23→D4→Q2基极，Q2获得正电位，导通；

Q2发射极接地，即导通与Q1栅极接地相当，电阻R20电压入地，Q1栅极高电位→低电位；

Q1导通→3v稳压IC输入脚→vcc供给主控→主控复位清0→读取固件程序检测→输出控制电压→PWR_ON→(R24+R13）分压→Q2基极并保持导通；

松开开机键：断开Q1基极电压，但保持主控电压，Q2持续导通，Q1持续给3v稳压IC提供电压，SW1→(R11+R30)分压→主控PLAYON脚长短+次数不同控制信号;

播放+暂停+开机+关机经过主控鉴别，输出不同结果→控制点→达到相应工作状态；

 

4.mos场效应管开关电路

电路图如下所示

此电路为隔离驱动，高端MOS管驱动

电路分析如下：

驱动电路加速MOS管关断时间，用变压器驱动；

C1作用：隔开直流+防止磁芯饱和

R1作用：抑制PCB板寄生电感与C1形成LC振荡

 

5.mos场效应管开关电路

电路图如下所示

电路分析如下：

a图：此电路为小功率驱动，低成本+可靠

应用：小功率开关设备+不要求隔离

 

b图：驱动电路开关速度快，驱动力强

串接电阻:0.5～1Ω

作用：防止2个MOS管直通

应用：中功率开关设备+不要求隔离

 

6.mos场效应管开关电路

电路图如下所示

此电路为集成芯片驱动电路

组成：UC3724/3725

UC3724作用：产生高频载波信号

电容CT+电阻RT决定载波频率

载波频率<600kHz，4脚+6脚两端产生高频调制波→高频小磁环变压器隔离→UC3725芯片7+8脚→UC3725调制→得驱动信号；

 

UC3725：内部有特基整流桥→7、8脚高频调制波整流→直流电压供驱动所需功率；

UC3724：发热越小，太大让匝数增多，导致寄生参数变大，抗干扰能力降低；

 

7.mos场效应管开关电路

电路图如下所示

此为正激式驱动电路

电路分析如下：

a图：

S2=驱动功率管

R2=阻尼电阻

作用：防止管子栅源极电压振荡，因值小，可忽略不计；

N3=去磁绕组

 

b图：

副边并联R1作用：正激变换器假负载，消除关断时输出电压发生振荡而误导通，功率MOSFET关断，能量泄放回路；

驱动电路导通速度与S2栅源等效输入电容+S1驱动信号速度+S1电流等大小有关；

 

8.mos场效应管开关电路

电路图如下所示

此电路为隔离变压器互补驱动电路

V1+V2=互补

电容C=隔离直流，

T1=高频、高磁率的磁环或磁罐

此电路分析如下：

导通：隔离变压器电压=（1-D）Ui

关断：隔离变压器电压=DUi

主功率管S导通电压=12V，隔离变压器原副边匝比N1/N2=12/［（1-D）Ui］。

C取大值，可确保导通时，GS电压稳定；

 

优势

1.单电源

2.隔直电容C可关断驱动管，提供负压，加速功率管关断，抗干扰能力强；

3.电路简单可靠，有电气隔离，脉宽变化，驱动关断能力不变；

 

9.mos场效应管开关电路

电路图如下所示

 

 

此电路为：提供负压的互补电路

互补驱动电路优势

1.干扰电压快

2.关断回路阻抗小

劣势

1.无法提供负压

2.抗干扰性差

功率MOS管是电压型控制，栅极与源极间加电压 > 阀值电压，即导通；

MOS管有电容，关断，漏源两端电压↑，→结电容在栅源两端产生干扰电压；

 

提高抗干扰性解决方案

驱动电路+一级电路（V1+V2+R），产生负压

 

上电路分析如下：

mos管：S1,S2；

V1导通，V2关断，2个MOS管上管栅源放电关断，下管栅源充电导通，驱动功率管关断；

反之V1关断，驱动功率管导通；

因以上+V2回路原因，V2不断退出饱和→关断；

S1导通慢，关断快；

S2导通快，关断慢；

S1发热>S2;

 

驱动电路劣势

1.双电源

2.R值要小，不然V1深度饱和，关断速度慢，R有损耗；