MOS场效应管设计电路中，给MOS管加散热片是最基本的要求，但是在这个过程中，可能出现EMC通过，散热片要接地，若散热片不接地，EMC不能通过； 那么传导可将开关辐射通过散热器传导到大地回路，减弱了走传输线，让流通路径更多, 辐射，没接地散热器，会让其成为辐射发射源，对于EMC更不好，若同时接地，能起到一定的屏蔽效果； 在布板，将大电解电容作屏蔽用，IC放在大电解电容下面防止干扰；

高频功率管即工作频率高的功率管； HF/VHF 功率MOS 晶体管BLF117，耗散功率200W，工作频率可高达100MHz. 功率MOS管 金属－氧化物-半导体场效应晶体管，是场效应晶体管即场效应管的其中一种，场效应管还包括：MISFET+MESFET+JFET； 功率MOS管是功率集成电子元器件，用垂直结构如：VMOS，VVMOS，VUMOS、SIPMOS，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元，提高集成度和耐压性。 功率MOS管属于电压型控制电子元器件，靠多数载流子工作；

绝缘栅双极晶体管即IGBT，事实上是一个场效应晶体管， IGBT=双极型三极管BJT+和绝缘栅型场效应管(MOS) 是复合全控型电压驱动式功率半导体器件 IGBT全称InsulatedGateBipolarTransistor 优势： 集功率MOS管高速性能与双极性器件低电阻于一体； 1.输入阻抗高； 2.电压控制功耗低； 3.控制电路简单； 4.耐高压； 5.承受电流大等特性； IGBT结构 区别在于：漏极与漏区间多了P型层； 它的命名规则也遵循场效应晶体管命名； N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构图如下所示： N+区=源区 附于其上电极=源极 N+区=漏区 电子元器件控制区=栅区 附于其上的电极=栅极 沟道紧靠栅区边界形成 漏源间P型区(包括P+和P一区)=亚沟道区(Subchannelregion)

什么是CMOS图像传感器 是一种固体成像传感器 组成：列驱动器+时序控制逻辑+AD转换器+敏单元阵列+行驱动器+数据总线输出接口+控制接口 工作过程：为复位→光电转换→积分→读出 CMOS图像传感器芯片可集成数字信号处理电路 例如：白平衡处理+黑电平控制+伽玛校正+AD转换器+自动曝光量控制+非均匀补偿 可编程功能DSP器+CMOS器件集成单片数字相机及图像处理系统； CMOS直接检测每个感光单元下的电荷 可理解为：电荷电压转换电路集成到了每个MOS 电容上 CMOS传感器优势 1.成本低 2.功率要求低

宽频带大功率脉冲放大器模块设计要求如下： 1.工作频段 > 4个倍频程，输出功率大，对谐波和杂波抑制力高； 2.谐波是在工作频带内，放大器模块线性度高； 应以上要求： 1.射频功率放大器放大链采用三级场效应管，全部选用增强型MOS场效应管。 2.每级放大用AB类功率放大模式，用推挽式，确保功率放大器模块可宽带工作； 3.用传输线宽带匹配技术和反馈电路，以展宽频带和输出大功率；

MOS场效应管继电器是在输出元件中应用了功率MOSFET的SSR。 功率MOSFET动作光电二极管阵列作为受光电子元器件应用。 动作原理 输入端子有电流流过， LED发光，此光让光电二极管阵列中发生光电流， 栅极电压让功率MOSFET处于ON状态。 2个功率MOS FET用源共通连接，并控制AC负载。 DC专用类型中有带1个电源 MOS FET类型。 信号用MOS场效应管继电器G3VM，不含变阻器。

MOS场效应管并联工作原理用3只IRF2807MOS场效应管并联试验，每个并联MOS场效应管单独用限流技术限制MOS管电流： 上图RlO，Rll，R1作为串联MOS管作电流检测用采样电阻，对流过MOS管电流进行监测， 3路分流器采集信号送入比较器； LM339作判断否过流依据，流过MSO管电流超过限定电流保护值，则控制回路依据送出过流保护信号，即限制驱动脉冲开度，确保此时流过MOS管电流<限定电流保护值；

感抗影响是阻碍Id变化 开启时候，初始时di/dt偏大，原感抗上产生较大压降，源点点位抬高，Vg电压加在电感上，G点电压变化减小，形成负反馈系统。 漏极感抗 组成：内部封装电感+连接电感； 开启状态，Ld起到Subber吸收作用，限制di/dt/，减少开启功耗； 关断状态，Ld的作用，Vds电压形成下冲即负压，增加关断时功耗；

P沟道mos场效应管导通条件 在栅极G加触发电压，源极S与漏极D导通； P沟道的栅极G电压为负极性； p沟道mos场效应管导通与截止，由栅源电压控制； P沟道mos场效应管加反向电压导通； P沟道mos场效应管作为开关 栅源阀值=-0.4V 栅源电压差=-0.4V，DS导通， S电压=2.8V  G电压=1.8V GS电压=-1V 导通，D=2.8V S电压=2.8V  G电压=2.8V  VGSw不导通D=0V 2.8V连接源极S，要让mos场效应管导通，继续为系统供电，系统则连接漏极D，利用栅极G控制； 与栅极G相连，GPIO高电平电压>2.8-0.4=2.4V，mos场曲艺管关断，低电平时则导通； 控制栅极G，GPIO电压区域=1.8V GPIO高电平=1.8V  GS=1.8-2.8=-1V，导通，无法关断；

coolmos优势 1.与普通MOS管相比RDS（ON）只有普通MOS管一半，用Cool-Mos可以降低损耗，提高效率的。 2..节电容小，开关速度加快，开关损耗小； 3..同等功率下封装小，有利于电源小型化； 4.通态阻抗小，通态损耗小； 5.栅电荷小，对电路的驱动能力要求低； 6.栅极开启电压限高，搞干扰能力强； 7.同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高,Coolmos参数特性 MOS参数BV Id Rds Vth Qg Pd 交流参数：Qg  Id 静态参数：BV Rds Vth Pd 动态参数：半导体是随温升变坏，如25℃电流=100A，125℃=50A，所以一般选择MOS都是以高温下数据为准备；