设计元器件或在选型中，MOS场效应管工作过程损耗，是要在设计之前要预先计算或是预估，但在没有具体元件测试下，只能参考元件的说明书中的参数及预先设计好的电路图，来估算其值，此值只能是理论上的数值，实际的损耗则应该按元件实物测试所获得的数值； 在MOS场效应管工作过程总损耗表达式如下 PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover 第一部就是导通损耗Pon的值 什么是导通损耗Pon 它是在MOS场效应管完全开启，漏源电流或是说负载电流 IDS(on)(t)在 RDS(on)上产生压降时的损耗； RDS(on)=导通电阻 计算导通损耗时，我们先计算漏源电流或是说负载电流 IDS(on)(t)公式，其中获得IDS(on)rms 值 ，它的时间是导通时间 Ton，与工作周期 Ts无关；

低温漂CMOS隙基准源中的电源抑制比及启动电路 电源抑制比即PSRR 它是电路对电源电压频率变化抑制能力 即是KPSR=从运放输入→输出开环增益/电源→运放输出增益 输出电压+Vdd都影响不了带隙基准，如：工作频率提升，因电容耦合，输出电压高频时会因Vdd波动影响它的稳定性。 要提高输出电压电源抑制特性，则电路用自偏压cascode结构电流镜，输出端接一对地滤波电容；

MOS场效应管电路的输入端保护二极管，导通电流容限=1mA 若：瞬态输入电流 >10mA，即需要串联输入保护电阻； 解决方案 可选择的MOS场效应管内部有保护电阻； 保护电路失效，因保护电路吸收瞬间能量有限，过大瞬间信号+高静电电压时，因此焊接电烙铁要可靠接地，避免漏电击穿MOS场效应管输入端； 解决方案 断电，电烙铁余热焊接，先焊接地管脚；

BIMOS场效应管是什么传统结构：DMOS在一层薄且低阻抗的硅衬底上生成一个硅外延层； 若：电压>1200V，承受阻断电压N-硅层倾于无外延层如b图，即均匀基区结构NPT 如b图，有IGBT的pnpn，此为引入一个N+集电极-短路模式，作用：让PNP晶体管电流增益减小，关断性能获得提升； 此时，在发射极和集电极间有自由寄生二极管，即BIMOS场效应管中BI，集电极控制BIMOS场效应管关断； 二极管反向导通要得到优化，避免换向产生时有dv/dt，辐照降低少数载流子寿命；

降低MOS场效应管Rds(ON)，得到潜在效率，要注意以下因素，Q1=MOS场效应管 Q2=同步整流器 电压驱动控制Q1与Q2相对门极 额外离散元件需求 影响PCB路由 最佳驱动电压振幅需求 仲裁元件对控制Q1与Q2分析 门极源极电压(VGS)相对另一门极源极电压优势 要注意： 本文所有曲线图作为实际应用依据：是从数据表可得典型MOS场效应管性能特性曲线图 MOS场效应管Rds(ON)对门极驱动电压 门极驱动电压对门极电荷的曲线

PowerPAIR封装 PowerPAK® SO-8+PowerPAK 1212-8 PowerPAK 1212-8 尺寸：3mm x 3m 应用于：小电流，低RDS(on)，笔记本电脑10A DC-DC 若：功率密度提高，再节省空间，那么封装内可装2个元件，代替分立单片MOS场效应管； SO-8双芯片MOS场效应管，只能处理负载电流< 5A，但负载电流>10A不可为； 因此设计师提出：提高最大电流+热性能好的封装 封装内装2片分开芯片，电源电路面积即减小； PowerPAIR封装 尺寸 < 单片6 x 5 PowerPAK SO-8 最大电流最高=15A 6 x 5封装面积：60m㎡ PowerPAIR封装面积:6.0mm x 3.7mm=22m㎡ PowerPAIR双芯片功率封装特点 它应用了一种DC-DC降压转换器非对称结构 高边+低边元件优化后，它们的占用面积是一样的；

MOS场效应管并联使用满足条件 1.导通电阻或饱和压降为正温度系数； 2.并联使用MOS场效应管要一致性好； 3.元器件最好选择同一批次的； MOS场效应管导通电阻基本上是正温度系数，因此它比较容易并联使用； IGBT并联使用满足条件 IGBT饱和压降有：正温度系数+负温度系数 1.导通电阻或饱和压降为正温度系数； 2.IGBT正温度系数饱和压降即可实现并联使用，且均流效果很好； 但IGBT负温度系数饱和压降使用并联，很难均流，所以并联使用不可实现；

叠栅MOS场效应管是什么 它是一种新型结构，它的栅电容：电容2个混联； 它作用：抑制短沟道效应； 原因：栅电容小；,叠栅MOS场效应管优势 叠栅MOS场效应管沟道中的电场分布不均匀，界面处在电场有一个峰值，源端电子在此峰值电场加速时，平均速度会很大，电场分布会更加均匀，增加电子平均速度，迁移率提高，增加驱动能力和截止频率，跨导增加，漏端尖峰电场下降，短沟道效应降低，热载流子注入减小，击穿电压增加；

影响MOS场效应管SEB效应的是：寄生晶体管VQ1导通+元件二次击穿特性 因此重离子辐射只是一种触发机制，并与入射粒子种类和剂量无关； 建立SEB模型，可把因入射粒子影响发生的等离子体丝流在源极PN结上偏压； 文献表征：分开背栅短路p源极+n源极，串联不同接触电阻Rp+Rn，实验研究和仿真验证表明可以，元件二次击穿特性决定抗SEB能力； 越高的二次击穿电流和电压，元件抗SEB能力越强； 元件仿真，缓冲层在抗SEB效应中起的作用，即给出一种三缓冲层优化结构；

VDMOS场效应管横向结构设计 它包括几个部份：元胞结构+栅电极结构+结终端结构 设计元胞结构 首先是元胞结构选取，因很容易集中正三角形元胞电场，会降低漏源击穿电压； 六角形元胞对角线与对边距比值<方形元胞对角线与边长比值 可以让电流均匀分布，有很小的曲率效应， 六角形元胞<圆形元胞牺牲率 圆形元胞牺牲率是：A’/Acell， A’=元胞边缘结合处不能流电流的无效区面积 Acel=元胞总面积 此设计：VDMOS场效应管=500 V高压，用正六角形”品”字排列元胞结构;