增强型MOSFET作用：常闭压控电子阀门 无栅极偏置电压，无电流流动； 有栅极电压，P基板中形成诱发沟道，电流开始流动，增强型MOSFET与耗尽型JFET区别 增强型MOSFET：需能量才能提供电源，输入电压过小，无法提供足够偏置电压，增强型MOSFET无法工作； 结型场效应管简称JFET 耗尽型JFET：要用能量停止供电； 因JFET有自我实现特性，因此适合应用于电路初始启动期间能量不足时；

为了防止接反电源而器件损坏，在产品设计时，加入防反接电路；NMOS场效应管防反接电路 原理：NMOS场效应管加在负极端 若：接电正确，NMOS场效应管寄生二极管导通，源极电位=0.6V  栅极电压=电源电压 Vgs > 门极开启电压，导通，电流从源极→漏极，后端电路工作正常; 若：电源正负极反接，栅极电位=0，不导通，电路不工作，即保护电路；

MOS场效应管电路输入端保护二极管，导通，电流容限=１ｍＡ，可能 瞬态输入电流 > １０ｍＡ； 解决方案： 1.串接输入保护电阻； 2.或者换一个内部有保护电阻MOS场效应管； 若：在设计之初并没有加此保护电阻，即会被击穿； MOS场效应管输入电阻高，栅极与-源极间电容小，易受外界静电或电磁场的感应而带电，少量电荷在极间电容相当高电压U=Q/C； 解决方案： 1.在MOS场效应管输入端有抗静电措施，但存储或运输要用金属容器或导电材料包装; 2.调试+组装：工具+仪表+工作台+焊接，都要接地； 3.工作人员不可穿化纤或穿尼龙衣服+手+工具先接地;

什么是驱动电路 是主电路与控制电路间，对控制电路信号放大的中间电路 驱动电路分类：电压驱动+电流驱动 电压驱动 场效应管或是电子管，输入电流小，可忽略不计，输出状态跟输入电压高低有关，场效应管工艺制成逻辑器件，例如：CMOS电路； 电流驱动 双极性晶体管，输出状态跟电流大小有关，输入电流以微安或毫安级为单位，例如：双极性晶体管工艺制成，逻辑器件TTL电路 PS：TTL电路标注的是高低逻辑电平，高电平门电路拉至低电平，需0.3mA驱动能力

场效应管与变压器+三极管组成220V稳压电路 它的输出电压可调2.4V~24V，工作原理即稳压过程： 1.输出电压降低，f点电位降低，过T1431内部放大，e点电压增高，过K790调整，b点电位升高； 2.输出电压增高，f点电位升高，e点电位降低，过K790调整，b点电位降低，输出电压稳定； 3.输出电流 > 6A ，三极管9013截止，输出电流 ≤ 6A，则限流；

垂直沟道绝缘栅型场效应管，即VMOS管 垂直沟道绝缘栅型场效应管结构 金属栅极采用V型槽结构+垂直导电性 漏极从芯片背面引出，ID不沿芯片水平流动，自重掺杂N+区(源极S)出发，过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下达漏极D； 流通截面积大，即能通过大电流； 栅极与芯片间有二氧化硅绝缘层，即绝缘栅型MOS场效应管；

场效应管栅极固定基准电压，由分压电阻及稳压管提供；基于场效应管恒流源电路原理电流经过采样电阻转换为采样电压，采样电压经运放A2反向放大，作反馈电压VF送入运放A1同相端，与基准电压VR进行对比，栅极电压调整，对输出电流调整，让整个闭环反馈系统处于动态平衡中，达到稳定输出电流； 若：输出电流增大，采样电阻的电压即增大，反馈电压VF增大，运放A1同相端电压增大， 基准电压不变； 运放A1输出电压=（VF-VR）K K即运放A1开环增益 运放A1输出电压降低，栅极电压下降，输出电流下降，稳定输出电流；

大规模集成电路中应用MOS管，即MOS场效应管，它的基本功能是：开关+放大+恒流+阻抗变换+可变电阻； 与三极管相比 优势 1.输入电阻很高； 2.对信号源几乎不取电流，有利于输入信号稳定，输入级放大理想电子无器件； 3.噪声低 4.温度稳定性好 缺点 因电压控制电流的电子元器件，栅源间电压控制漏极电流，放大系数低频跨导小，放大能力差； 场效应管功能：开关 因场效应管是多子导电，不像三极管会因基极电流引起电荷储存效应，因此开关的速度很快，并且可作高频大电流应用； 场效应管开关可在小电压及电流下工作，因此更容易集成在硅片上，经常应用于在大规模集成电路中；

场效应管  全称Field Effect Transistor 简称FET 分类：结型场效应管JFET + 金属 - 氧化物半导体场效应管MOSFET 因多数载流子参与导电，即单极型晶体管； 电压控制型半导体电子元器件 功能 放大+作阻抗变换+作可变电阻+作恒流源+电子开关 优势 1.输入电阻高107～1015Ω 2.噪声小 3.功耗低 4.动态范围大 5.易于集成 6.无二次击穿现象 7.安全工作区域宽 晶体管 全称transistor 分类：二极管+三极管+场效应管+晶闸管 固体半导体电子元器件 功能：检波+整流+放大+开关+稳压+信号调制 可变电流开关，可基于输入电压控制输出电流 晶体管利用电信号控制自身的开合 开关速度非常快 实验室切换速度可达100GHz或以上

英飞凌mos场效应管IPP023N10N5功能概述 1.优化同步整流 2.适用于高开关频率 3.输出电容减少高达44% 4.研发（开）比上一代减少43% 优势 1.最高的系统效率 2.降低开关和传导损耗 3.不需要并联 4.功率密度增加 5.低电压过冲 应用 1.电信 2.服务器 3.太阳能 4.低压驱动器 5.轻型电动汽车 6.适配器