MOS场效应管雪崩能量与电子元器件本身的热性能及工作状态有关联； 其它表现的形式是：温度； 温度↑与功率水平及硅片封装热性能有关联；待测量+驱动)MOS场效应管导通 VDD加在L上，L激磁电流线性↑，→导通时间tp，L电流至最大值； (待测量+驱动)MOS场效应管关断 L电流不能突变，切换瞬间，要维持原大小+方向，D导通； 功率半导体对快速功率脉冲时间=100～200μs热响应,tav=脉冲时间 测量雪崩能量在低电流和长时间下，功率消耗让元件温度上升，它的峰值温度决定失效电流值； 元件很稳定，温度<最高允许结温，即可维持测量； 结温：25℃增至TJMAX 外部环境温度恒定=25℃ 电流=60%ID 雪崩电压VAV=1.3*额定电压 雪崩能量测量条件：非钳位感性开关UIS下 两值：EAS+EAR EAS=单脉冲雪崩能量 作用：单次雪崩状态元件消耗最大能量 EAR=重复脉冲雪崩能量 作用：电感值+起始电流值决定雪崩能量

MOS场效应管开通时开关损耗 Crss=米勒电容 正比：Crss与t3，米勒平台占开通损耗比=84% Crss对应Qgd是MOS场效应管产生开关损耗的原因 Ciss=Crss+Cgs Ciss对应电荷Qg 两MOS场效应管A与B 它们对应的Qg与Ciss A < B 若：Crss，A>B，开关损耗A > B 在选择MOS场效应管Crss值应该考虑仔细； t3与t2大小还取决于驱动电阻，减小驱动电阻即可减小t3与t2值，即减小开关损耗， 如果开关速度过快会有EMI，栅驱动电压提升即可降低t3，米勒电压降低，阈值开启电压降低，即t3降低，开关损耗减小， 若：阈值过低，开启时导致MOS场效应管误导通； 若：跨导增加，工艺程度增加，成本增加；

MOS场效应管稳态特性 门极与源极间电压Vgs，控制电子元器件导通与否; VgsVth时，电子元器件处于导通; 它的通态电阻值：随Vgs大，而小; 电子元器件Vgs= 12V-15V   额定值为±30V; 电子元器件漏极电流额定：用其有效值或平均值标称; 实际漏极电流有效值<额定值，散热正常，则安全; 电子元器件通态电阻呈正温度系数 理论：容易并联扩容 实际：并联，要考虑驱动对称性和动态均流问题; Logic-Level功率 MOS场效应管，Vgs= 5V，即可确保漏源通态电阻很小;

英飞凌650V MOS场效应管集成快速体二极管 英飞凌高能效半导体解决方案让全球节省能耗25%； 650V CoolMOS™ CFD2，是英飞凌创新型高压CoolMOS™ MOS场效应管。 优势 1.有650V漏源电压 2.可集成快速体二极管高压晶体管 3.软换向性能 4.抗电磁干扰性好 5.有快速开关超结结 MOS场效应管特点 6.轻载效率高+栅极电荷低+可靠性非常出色 应用 LED照明+通信设备+电脑服务器+太阳能逆变器

12V至5V同步整流降压式MOS场效应管驱动器，提供高轻负载效率； 如： ISL6622A+ISL6622+ISL6622B 共同的特点：3A吸收能力+快速上升/下降时间+开关频率1MHz+高总体效率 它的封装 ISL6622：8引线SOIC 作用： 1.PWM模式下把高低侧极驱动至VCC； 2.PSI模式下低侧栅极降到典型值5.75 V； ISL6222A：10引线DFN 作用： UVCC引脚把高侧栅极驱动5V~12V 低侧栅极可选电阻器,PSI模式下典型电压5.75V+6.75V+7.75V; ISL6622： 1.N沟道MOS场效应管+PWM控制器(VR11.1)结合； 2.微处理器内核电压稳压器解决方案由PWM协议提供； 3.提供PSI模式期间二极管仿真操作，以提高高轻负载效率； 4.电感器电流=0  检测可以实现非连续导通模式DCM 5.检测=“0”低侧MOS场效应管关断 作用：避免吸收电流+消除伴随反向电流功率损失

LDMOS场效应管过流比较模块电路分析,LDMOS场效应管栅极电压V GATE=高  LDMOS场效应管导通，M10导通，采集LDMOS场效应管饱和漏极电压； V GATE=低，LDMOS场效应管关闭，电路不工作； 比较电压产生器 LDMOS场效应管栅极=高电平，处于过流； VGATEDelayed=低电平 ，I1+I2+I3对Ccompare充电，VCompare上升； 采样电压最大值=2.5V，设VCompare=2.7 V，增加电路工作门限电平，抗干扰能力提高， Csample通过R2快速放电，VSample快速变0，相应输出为非过流状态； VGATEDelayed=高电平，输出VCompare=I1×R3=1.0 V

MOS场效应管正向导通等效电路，用一个电阻等效 电阻：随温度升高，而变大，随门极驱动电压升高，而变小；MOS场效应管在门级控制下反向导通等效电路，用一个电阻等效， 电阻：随温度升高，而变大，随门极驱动电压升高，而变小； 电路工作状态：MOS管同步整流工作，低压大电流输出开关电源重要的工作状态；

MOS场效应管晶体管电路拓扑电源效率技术不断提高，从电流驱动转换成电压驱动， 平面栅极功率MOS场效应管面向高压电子元器件，BVDSS电压=500-600V功率MOS场效应管传导损耗受到：沟道密度+JFET阻抗+外延阻抗的影响，因此要降低传导损耗，得提升晶体管单元密度； 光刻设备越来越精密，功率MOS场效应管BVDSS范围<100V，因此产生新应用电源+汽车电子+电机控制等； MOS场效应管应用于降压转换器+更宽电源电压范围，推进更高性能的电子元器件；

高压MOS场效应管应用于SD486X芯片 SD486X系列芯片 封装DIP-8 组成：电流模式PWM+PFM控制器+内置高压MOS场效应管 内部集：原线圈过流保护+过压保护+过载保护+过温保护+欠压锁定+脉冲前沿消隐； 在产生保护后，可不断自动重启，至系统正常； 优势 1.高集成度+小占板面积+便于整机调试 2.EMI低+启动电流低+功耗低； 3.高效率>84％； 4.输出电压+启动电压+最大功率都可调节； 5.窄电压范围7~21W； 6.宽电压范围5~18W；

1.MDmesh™ V MOS场效应管有最低导通电阻 它让650V MOS场效应管RDS(ON)值<0.079Ω，有着很凑封装，能效，功率提升，适合应用于低能耗和小尺寸率转换系统； 如：STP42N65M5，33A，TO-220封装，导通电阻0.079Ω； 大电流的，封装Max247，RDS(ON)=0.022Ω 封装TO-247 RDS(ON)=0.038Ω RDS(ON)值改进，可降低电源和PFC电路电能损耗，推进更低能耗+小尺寸产品， 多漏网格技术，改进晶体管漏极结构，降低漏源电压降，MDmesh V单位面积导通电阻RDS(ON) 值改进，也降低通态损耗，栅电荷量(Qg)非常低，应用于高速开关时可实现非常不错的能效，可提供低 FOM灵敏值 FOM灵敏值=RDS(ON) x Qg MOS场效应管击穿电压：650V 产品 > 600V产品