MOS场效应管基本知识 MOS场效应管开关模型寄生参数： 驱动过程分析：CGS，CGD，CDS 漏极扰动对MOSFET影响：DS间寄生三极管（内部三极管导通而雪崩+CGD耦合引起门极电位上升元件误导通） 体内寄生三极管+体二极管 体二极管：它的反向恢复时间tf很难处理，能直接影响开关管性能和损耗，它是工艺制成的副作用。  导通过程 在开关模型中执行 1.PWM高电平信号经过功率放大转换，对门极充电。 2.电流流过：CGS充电经过源极负载回到地+CGD充电 第一阶段：CGS电位上升，满格到达门极开启电压，DS沟道间开始出现电流，然后结束；

TrenchFET® P沟道Gen III功率MOS场效应管即Vishay Si8851EDB 封装：2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT® 4.5V导通电阻低至8.0mΩ -4.5V=栅极驱动  导通电阻=8.0mΩ -2.5V=栅极驱动  导通电阻=11.0mΩ 结合技术：P沟道Gen III+MICRO FOOT无封装CSP+30pin引脚 高度薄：与(2mm x 2mm x 0.8mm)*50% 4.5V栅极驱动  导通电阻/2 单位封装尺寸导通电阻低37% 它的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOS场效应管，

MOS场效应管栅极失效，即让传导和开关损耗降低 MOS场效应管栅极被屏蔽即让它失效，在电压40～300VMOS场效应管应用 提高效率和功率密度是DC/DC工程师所经要面对的问题， Rds(on)=导通阻抗 Qg=栅极电荷 在上面两个参数中，一个增大，则另一个减小，它们是互反。 但新沟槽MOS场效应管工艺，即可让Qg不变，Rds(on)减小 此技术为：屏蔽栅极技术 关键点是：减小中压MOS场效应管导通阻抗关键分量，与漏源击穿电压BVdss有关外延阻抗epi resistance。 额定30V与100V的传统沟槽MOSFETRds(on)分量比较 100V元件，Rds(on)中外延分量百分比大 用屏蔽栅极的电荷平衡技术，Qg不受影响，外延阻抗降低一半或以上。

高压场效应管节能 高压场效应管工艺：常规平面+电荷平衡，平面：稳定+耐用 缺点：有源区与击穿电压一定，导通电阻 > 超级MOS场效应管电荷平衡工艺。 导通电阻值确定，有源区大小变化通过输出电容与栅极电荷影响元件热阻与切换速度。 击穿电压与尺寸都相同 新电荷平衡型元件导通电阻值=传统元件电阻值*25% 但片基尺寸小，确有高热阻。 边缘终端：让场效应管不存在片基边缘上的电压击穿。 高压场效应管：边缘区>有源区

MOS场效应管本身发热，我们可测量一下电路中其它元件引脚电压，示波器测量电压波形，测出开关电源工作状态，还有其它一些电路中细节是否都正常，如：变压器原边+次级以及输出反馈+PWM控制器输出端+脉冲幅度和占空比。 当然，在测量电路其它部份元件找问，但我们可以根据我们以往的经验选择测量一下，MOS场效应管它本身是否存在问题，如： 过漏极和源极Id电流太高+驱动频率过高+G极驱动电压不够

VDMOS场效应管是电压控制电子元器件 原理：栅极加一定电压，元件沟道表面反型，形成连接源区和漏区的导电沟道。VGS=栅源电压 阈值电压=VTH VDS=漏源电压 VGS > VTH，栅极下方P型区形成强反型层（电子沟道），因VDS作用，N+源区电子通过反型层沟道，经过N-漂移区外延层运动至衬底漏极，形成漏源电流。 VGS < VTH，栅极下方无法形成反型层沟道，N-漂移区外延层浓度较低，耗尽层在N-漂移区一侧扩展，可维持高击穿电压。 VDMOS场效应管栅电极结构 VDMOS场效应管组成：多小元胞单元并联

马达控制电路是一种半桥式控制电路 组成：MOS场效应管2个 或是全桥式组成：MOS场效应管4个 器件在关断时间或者说在死区时间相等， 此应用，最重要的因素是反向恢复时间trr 控制电感式负载，控制电路把桥式电路中MOS场效应管切换到关断状态，桥式电路另一个开关经MOS场效应管体二极管临时反向传导电流，因此重新循环电流，供电给马达。

USB Type C移动设备附件里有耗尽型MOS场效应管模拟开关可省电 单通道SPST耗尽型MOS场效应管模拟开关提供能力完成USB Type C检测，并隔离Ra电阻器接地路径，如：FSA515与Ra电阻器串联完成； USB Type C将移动设备连接到受电附件应用，附件过VCONN连接并通电， 附件中电流流过接地Ra电阻，如下图所示 Type-C附件在检测后有电流流过Ra电阻

开关MOS场效应管电阻损耗计算表达式 不同负载系数和 RDS(ON) HOT ：PDRESISTIVE=[ILOAD2×RDS(ON) HOT]×(VOUT/VIN) 因它依赖难以定量+不在规格参数范围对开关产生影响，计算开关MOS场效应管损耗有些难，只能计算大概值评估器件，然后在实验室进行验证 PDSWITCHING=(CRSS×VIN2×fSW×ILOAD)/IGATE CRSS=MOS场效应管反向转换电容 fSW=开关频率 IGATE=器件启动阈值处MOS场效应管栅极驱动吸收电流的源极电流

电池充放电保护电路中，过电流或负载短线，电路关断MOS场效应管，避免电池放电。 但MOS场效应管关断速度非常缓慢， 看VGS波形，米勒平台时间=5ms，期间，MOS场效应管工作在放大状态，即线性区。MOS场效应管开始工作在线性区，它是负温度系数，局部单元区域发生过流，产生局部热点，温度高，电流大，温度再增加，过热损坏。 破位位置离G极远，损坏发生关断过程，破位位置在中间区域，散热条件最差区域。 器件内部，局部性能弱单元，封装形式和工艺对破位位置产生影响。