MOS场效应管基本知识

MOS场效应管开关模型寄生参数：

驱动过程分析：CGS，CGD，CDS

漏极扰动对MOSFET影响：DS间寄生三极管（内部三极管导通而雪崩+CGD耦合引起门极电位上升元件误导通）

体内寄生三极管+体二极管

体二极管：它的反向恢复时间tf很难处理，能直接影响开关管性能和损耗，它是工艺制成的副作用。 

 

导通过程

在开关模型中执行

1.PWM高电平信号经过功率放大转换，对门极充电。

2.电流流过：CGS充电经过源极负载回到地+CGD充电

 

第一阶段：CGS电位上升，满格到达门极开启电压，DS沟道间开始出现电流，然后结束；

如下图所示

 

 

第二阶段：CGD充电

VDS电压下降，门极电压不上升

CGD米勒电容，容量放大20倍，开关损耗，沟道电流和电压同存。

MOS场效应管门极电压已建立，内部VDS电压下降至最小值

MOS场效应管控制电子与沟道电流完全隔离，元件开启，门极只流过纳安级电流，驱动电流忽略。

 

开关频率=250KHz  门极电压=0v→10v    在tr时间内所需平均电流

AOD436

N-MOSFET13mOhm@Vgs=4.5V

驱动时间tr=15ns

充满CGS所需电流I1此时间电容电压变化微分

输入电流完成对CGD电容充电，漏极导通，DS间电压从供电电压VIN下降至导通压降。

导通压降VDS非常小，CDS两端压降=VIN+VGS

驱动总电流Ig=IGS+IGD