体效应 MOS场效应管衬底与源极相连即VBS=0，但源极与衬底的电位不相同。 NMOS场效应管：衬底接电路最低电位GND ，VBS<0 PMOS场效应管：衬底接电路最高电位VDD，VBS>0 MOS场效应管阈值电压，随源极与衬底间电位不同而发生变化，即体效应，也叫背栅效应。 从MOS管工作原理得，随VGS上升，衬底内部电子向衬底表面运动，并在衬底表面产生了耗尽层。 VGS上升=一定电压（阈值电压） 栅极下衬底表面发生反型，NMOS场效应管在源漏间开始导电。 阈值电压值：与耗尽层电荷量有关 耗尽层电荷量越多，阈值电压越高，NMOS管开启越难。

MOS场效应管电容在Layout中 在Layout中，会在一些空地方加上接电源地的MOS电容，需注意电源电压。 电源电压=3.3V  不可用1.8VMOS场效应管电容 因：防止电压击穿MOS场效应管氧化层，要用氧化层厚点的3.3V的MOS。 电源电压=1.8V  用3.3V MOS场效应管电容或1.8V MOS场效应管电容。 从容值看：面积相同，容值大，3.3V的MOS的氧化层比1.8V的MOS氧化层厚，因此 容值相对1.8V MOS小了，应选1.8V MOS电容。 1.0V电压域，即选MOS场效应管做电容。 原因：普通MOS管，阈值电压VTH大，1.0V电压即可进入亚阈值区，容值处于C-V特性曲线的凹陷区域，电容值小，即可选阈值电压VTH≈0  native MOS场效应管。

DS震荡厉害，此时要解决方案如下： 1.续流二极管：检查规格书是否合适，找不同品牌参数相近测试，波形是否改善。 2.Mos场效应管：找不同品牌替换，看波形变化。 3.驱动波形：驱动电阻大小改变，看是否改善。 4.以上方案都无改善，PCB布线是否有问题或割线查看。 6.或加RC钳位电路：但损坏加大，MOS场效应管温度可能会升高。

超薄MOS场效应管驱动器VOL3120，封装SMD，高度=2.5mm 最小间隙和外部爬电距离为8mm。 特点 尺寸小 高隔离电压VIORM=1050V  VIOTM=8000V 具最佳的电气性能 过压锁定功能可保护MOS场效应管， 对共模瞬态的抑制能力超过48kV/μs，能消除来自PCB上低压区域的噪声。 工作损耗电流：最大2.5mA 典型延迟<250ns 典型上升和下降时间=100ns 潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020 1级，仓储寿命不限 驱动器可在15V～32V电源电压和-40℃～+100℃的工业温度下工作。 应用于： 1.高工作电压+污染程度更严重条件，电机驱动+可替代能源+焊接设备。 2.MOS场效应管快速开关

辅助电源一般电路，输入电压MOS场效应管最高耐压要1300V，为安全需余量一定电压，额定电压要有1500V，也可用绝缘击穿电压Si MOS场效应管，但是损耗大+要散热器成本增加；，用复杂拓扑结构，如双端反激式转换器方式+低电压器件串联等，设计难度+元件数量都增加。 用特定导通电阻1500V Si-MOS场效应管1/2的1700V SiC-MOS场效应管，辅助电源用简单单端反激式转换器拓扑

SiC-MOS场效应管开关波形，通过不同输出负载波形，可提在接通SiC-MOS场效应管时谐振漏源电压变化。 用准谐振工作，最大限度地降低开关损耗和EMI. 轻负载Pout = 5W，突发工作模式结束，转准谐振工作模式 控制频率：是通过跳过很多波谷; 输出负载増加Pout = 20W，波谷数量减少，频率上升 接近最大输出负载，Pout = 40W，只有一个波谷，开关频率最大值120kHz 延长一次侧开关导通时间，可微调低开关频率并提高输出功率。 一次侧电流峰值增加，传输能量也增加Pout = 40W。 超过最大输出功率，过电流保护功能工作并阻止开关动作，避免系统过热。 首先，评估板因有两个工作点而以电流不连续模式（DCM）工作。然后，在最后一个工作点（40W）时正好达到电流临界模式（BCM）。根据不同的输入电压，DCM和BCM在不同的输出功率进行切换。

DC-DC降压转换器设计中萧特基二极体替换成MOS场效应管，压转换器效能可提高升， 开关週期电流相位中开启。DC-DC升压转换器拓扑，PCB架构NXP小讯号MOS场效应管DC-DC降压转换器。 MOS场效应管：SOT457+SOT23+SOT223+DFN2020MD-6（SOT1220）等小型表面组装元件（SMD）技术封装，低导通电阻+开关性能良好 PCB电路板拓扑用Linear Technology控制器，2个N通道MOS场效应管构成开关层级， 高端开关能通过电感连接节点，直达输入电源，用高于输入电压本身控制电压。 额外电压：用于上级MOSFET闸极控制 →电荷帮浦产生→电容C25连接至开关节点+开关后的输出→萧特基二极体连接稳定电压INTVCC接脚12，内部5伏特低压差线性稳压器LDO提供INTVCC。 低端开关打开，电容通过二极体充电，C25一端接地

英飞凌infineon OptiMOS™ 是发电（如太阳能微型逆变器）、供电（如服务器和电信）和耗电（如电动汽车）高效解决方案的市场领导者。 英飞凌infineon MOS场效应管BSC123N08NS3G功能概述 1.DC-DC变换器的优化技术 2.优秀的栅极电荷x rd（ON）产品（FOM） 3.优异的耐热性 4.双面冷却 5.低寄生电感 6.薄型（<0.7mm） 7.N通道，正常电平 8.100%雪崩测试 9.无铅电镀；符合RoHS 英飞凌infineon MOS场效应管BSC123N08NS3G应用 1.太阳能 2.消费者 3.电信 4.服务器 5.PC电源 6.直流-直流 7.交直流 8.适配器 9.开关电源 10.发光二极管 11.电机控制

驱动电路加速MOS场效应管关断时间，高端MOS场效应管驱动，一般用变压器驱动，安全隔离用变压器驱动； R1作用：抑制PCB板上寄生电感与C1形成LC振荡； C1作用：隔开直流，过交流，防止磁芯饱和。关断瞬间驱动电路，能提供低阻抗通路，供给MOS场效应管栅源极间电容电压快速泄放，可确保开关关断速度； 栅源极间电容电压快速泄放，在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管 D1=快恢复二极管 关断时间减小，关断损耗减小。 Rg2作用：防止关断时电流过大，电源IC烧坏。

SiC-MOS场效应管逆向导通实现高效同步整流电路 Si-IGBT不能逆向导通 但SiC-MOS场效应管可通过体二极管实现逆向导通。 通过输入栅极信号，实现MOS场效应管逆向导通 与二极管比较，实现低电阻。 与二极管整流方式比较， 逆向导通特性，可以在1000V或以上范围，用高效同步整流方式技术。 即可把二极管通电劣化解决，即使1000小时或以上通电时间也没有特性劣化 罗姆研究表明，体二极管接电缺陷扩大机理，产生劣化可通过工艺元件结构控制。 接电时间大于20小时后，导通电阻即增大，但SiC-MOS场效应管接电1000小时或以上，都 不会导致导通电阻增大