MOS场效应管驱动器等效输入电流测试电路，MOS场效应管应用连接图，1. R1可用2.2－10Ω，C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。 2. T1、T2可用>=1.5A/40V/60MHz的三极管，D1、D2最好用>=0.2A/25V的肖特基管。 3. R2可用2.2－22Ω。 4. R3须在3.3－4.7KΩ。 5. D为续流二极管，由用户根据情况选用。

要在整个负载范围内实现均衡的效率，必须借助四象限SR器件优化表对MOS场效应管电流做出合理的选择。采用满负载优化，可以在输出电流较高时实现良好的效率。 但是，当负载较低时，这种方法会大大降低效率，并且所需并联MOSFET的数量将多得不能接受。因此，必须找到最优MOSFET电流，以在整个输出电流范围内实现相对恒定的效率值。

优化SR MOS场效应管的效率 必须找到开关损耗与导通损耗之间的最佳平衡点。 在轻负载条件下，RDS(on)导通损耗占总功耗的比例极低。 在这种情况下，在整个负载范围内基本保持不变的开关损耗是主要损耗。 但，当输出电流较高时，导通损耗则成为最主要的损耗，其占总功耗的比例也最高

效功率转换的关键在于dc/dc转换器功率级内发生的切换。出于充分的理由，今天的许多高频高性能PWM控制器不具备直接驱动功率MOS场效应管的能力。 相反，MOSFET驱动IC是PWM的低功率开关信号和MOS场效应管所需的大电流之间的接口。一次变换器拓扑梥如降压、助推、前进或全桥梚因此，为特定应用选择最佳的驱动IC需要了解MOSFET驱动IC的功能，这对提高开关性能至关重要。

自举栅极驱动电路+高边N沟道场效应管一起应用,高边开关的开关转换，也适用于自举驱动。 但此个电路最大的难点，在于当截止的时，MOS场效应管的源极存在负电压。 负电压的振幅与连接主MOS场效应管与地的寄生电感成比例，包括与整流器相连的寄生电感，器件的闭合速度，大部分由栅极驱动电阻RGATE和输入电容CISS决定。 此负电压可给驱动器的输出级带来影响 因：它可直接影响驱动器或者PMW集成电路的源极引脚——经常被叫做SRC或者VS引脚： 1.可能会使一些内部电路显著低于地。 2.负电压暂态可能引起在自举电容上产生过压。

高能量桥式或半桥式转换器中，驱动多个MOS场效应管的需求，由推挽式或者被双端PWM控制器控制。应用中，两极对称的栅极驱动电压很有效，在第一个时钟周期中，OUTA是导通的，让通过栅极驱动变压器的初级线圈产生了一个正压。 在下一个时钟周期中，OUTB导通了一段时间即稳态时间，通过磁化电感产生一个极性相反的电压。 在任意两个时钟周期中，通过变压器初级线圈的平均电压为0V。 因此在推挽式栅极驱动电路中不需要交流耦合。 元件容差产生，在控制器中抵消不平衡成分，这此偏差易被驱动器的输出阻抗或者跟变压器的初级线圈串联的一个小电阻补偿掉。

MOS场效应管的关断过程恰好和它的导通过程相反。 电压VGS从下图的VDRV开始，电流从下图的最大负载电流IDC开始，漏源电压由MOS场效应管的电流IDC和导通阻抗决定。第一个阶段是关断延迟，需要电容CISS从最初值电压放电到Miller平坦区水平。 此期间电容CISS提供栅极电流，流入MOS场效应管的电容CGS和CGD。 元器件的漏极电压随着过载电压的减小而略微的增大。 此阶段漏极电流几乎不变。

开关电源应用中，主功率开关用N沟道MOS场效应管很广泛。 原因：成本低，速度快，导通阻抗低。 N沟道MOS场效应管应用于高边开关，在栅极MOSFET的栅极驱动必要。 驱动器必需能够承受在开关切换时，猛烈的电压波动，和能够驱动栅极电压在电源正极电压高的MOS场效应管。 一般情况，栅极驱动电压 > 电路中直流电源最高电压。 N沟道MOS场效应管高边直接驱动 简单应用中，可以是PWM控制器驱动或接地驱动器,忽略pnp晶体管的断开，此结构与以地为参考的原理图相比。 因漏极和直流输入端相连，开关动作发生在器件的源极端。 它仍具有相同开关时间间隔的感应开关。 但是从栅极驱动设计看，它是一个完全不同的回路。 栅极驱动电流不能回到源极的地端，相反,它必须经过负载,与器件的源极相连。 在不间断的电感电流模式下，栅极充电电流必须经过输出电感和负载； 而在连续电感电流模式下，回路却可以通过控制整流二极管的pn结被打断。 在断开时候，栅极放电电流通过连接地和MOSFET的源极的整流管。 在所有的工作模式中, 电容Cgd的充放电电流都流过功率级的高频旁路电容。

电源应用中，驱动门开关MOS场效应管简易法应用PWM控制器,直接驱动：最难点是最优化电路布线。在PWM和MOS场效应管间距离很大。 此距离会引起，由门驱动和地间回路造成寄生电感，即降低开关速度和引起在MOS场效应管驱动波形中的噪声。 使用地线层，也不能消除寄生电感。 原因：地线层仅比地回路的寄生电感小些。 要减小驱动连线的寄生电感，必须要有较宽PCB布线。 直接驱动：PWM控制器的电流驱动能力。 这将限制，由PWM控制器驱动的，在最佳工作状态的芯片的最大尺寸。 让PWM直接驱动MOS场效应管的另一个限制因素，驱动器内部的功率损耗。解决方案：外接栅极电阻。

源极电感系数对MOS场效应管的性能影响很大。 典型电路中，寄生电感有两个来源， 1.MOS场效应管封装时的封装接线； 2.在源极端和共地端的印刷电路板线的电感。 当高频滤波电容的负极和门驱动的旁路电容，在功率级时通常要考虑这些。 在源极的一系列电流检测电阻也会对前两部分电路增加额外的电感。 开关过程中，有两个机制，包括源极电感。 开关转换开始，栅极电流慢慢增大，电流必须流经源极电感，而且会变慢，这取决于电感值。因此，MOS场效应管输入电容的充放电时间，将会变长，因此影响导通延迟和截止延迟。源极电感和电容CISS组成共振电路，