MOS场效应管的损耗要减少可通过降低模块电源的驱动频率。 如：EMI问题及其解决方案 MOS场效应管损耗分析可得：开关电源的驱动频率越高，导通损耗、关断损耗和驱动损耗会相应增大，但是高频化可以使得模块电源的变压器磁芯更小，模块的体积变得更小， 因此可以通过开关频率优化开通损耗、关断损耗和驱动损耗，但是高频化却会引起严重的EMI问题。

要选择最优的MOS场效应管来实现同步整流，必须充分理解MOSFET的功耗产生机制。 首先，必须区分开随负载而变化的导通损耗与基本保持不变的开关损耗。 导通损耗取决于：MOS场效应管的RDS(on)和内部体二极管的正向电压VSD。随着输出电流的提高，导通损耗（RDS(on)损耗）也会相应地增加。

MOS场效应管  IC gate charge电荷量与switching特性，如从V GS =0V到V th 的充电期间为Q th ，curve变成完全平坦时的点，让source-gate间容量结束充电称为Q gs 。 显示从该点开始drain-source间的电压变化非常激烈，归返容量C ress 作为mirror容量也有变大趋势，充电期间会使该平坦部位的mirror容量成为Q gd ，从该处到2SK3418规定的10V驱动电压V gs 点，则变成total gate charge量Q g ，V gs =10V时的Q g ，大约是183nC。 由于Q g 驱动gate所以它是决定gate峰值电流i g(peak) ，与驱动损失P (driveloss) 等特性的重要参数，峰值电流i g(peak) 与驱动损失P (driveloss)

绝缘栅型MOS场效应管 因：栅极处于绝缘状态，其的感应电荷不易放掉，当积累到一定程度时，可产生很高的电压，即易将管子内部的Si02 膜击穿，所以要注意： 1.要求测试仪器、工作台有良好的接地. 2.焊接用的电烙铁外壳要接地或利用烙铁断电后的余热焊接，焊接绝缘栅型MOS场效应管顺序是：先焊游→栅极→焊漏极. 3.运输和储藏中必须将引出脚短路，或采用金属屏蔽包装，防外来感应电势将栅极击穿. 4.要采取防静电措施.

如下图所示N channel Power MOS场效应管 IC的断面构造，本MOSFET的gate与source之间，亦即gate pad的周围设有可以防止静电破坏的保护二极体，因此它又称为body diode。 马达驱动电路与断电电源供应器(UPS)等DC-AC转换inverter等应用的场合，保护二极管可以充分发挥它的特性。

MOS场效应管驱动器等效输入电流测试电路，MOS场效应管应用连接图，1. R1可用2.2－10Ω，C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。 2. T1、T2可用>=1.5A/40V/60MHz的三极管，D1、D2最好用>=0.2A/25V的肖特基管。 3. R2可用2.2－22Ω。 4. R3须在3.3－4.7KΩ。 5. D为续流二极管，由用户根据情况选用。

要在整个负载范围内实现均衡的效率，必须借助四象限SR器件优化表对MOS场效应管电流做出合理的选择。采用满负载优化，可以在输出电流较高时实现良好的效率。 但是，当负载较低时，这种方法会大大降低效率，并且所需并联MOSFET的数量将多得不能接受。因此，必须找到最优MOSFET电流，以在整个输出电流范围内实现相对恒定的效率值。

优化SR MOS场效应管的效率 必须找到开关损耗与导通损耗之间的最佳平衡点。 在轻负载条件下，RDS(on)导通损耗占总功耗的比例极低。 在这种情况下，在整个负载范围内基本保持不变的开关损耗是主要损耗。 但，当输出电流较高时，导通损耗则成为最主要的损耗，其占总功耗的比例也最高

效功率转换的关键在于dc/dc转换器功率级内发生的切换。出于充分的理由，今天的许多高频高性能PWM控制器不具备直接驱动功率MOS场效应管的能力。 相反，MOSFET驱动IC是PWM的低功率开关信号和MOS场效应管所需的大电流之间的接口。一次变换器拓扑梥如降压、助推、前进或全桥梚因此，为特定应用选择最佳的驱动IC需要了解MOSFET驱动IC的功能，这对提高开关性能至关重要。